2.将设备旋转盘保护上盖旋开，选择好需要加工晶元配套的吸 盘，将吸盘放在匀胶电机轴套上，注意吸盘的方向，务必放稳，放平。 3.将硅片放到吸盘上，并点胶。 4.打开控制面板上的“真空”按钮，吸盘上形成真空。 5.将旋转盘保护上盖旋到旋转盘上方，盖好，操作人员手扶旋 转保护盘。 6。选择好匀胶时间和匀胶频率后，按下“匀胶启动”的绿按钮。 7.待匀胶完全停止后，关闭真空电源取出硅片。 注意 1.真空气泵需要定期加油，注意油面情况，具体参照说明书。 2.定期清理旋转盘里面残留的胶。 3.“真空”没有按下时，匀胶工作不能进行。 频率和电机转速对照表 变顿输出频半) 电机转数p 3360 616 7840 15 步骤3：后烘干，80摄氏度20分钟 步骤4：硅片对焦后在紫外线下曝光：
2. 将设备旋转盘保护上盖旋开，选择好需要加工晶元配套的吸 盘，将吸盘放在匀胶电机轴套上，注意吸盘的方向，务必放稳，放平。 3. 将硅片放到吸盘上，并点胶。 4. 打开控制面板上的“真空”按钮，吸盘上形成真空。 5. 将旋转盘保护上盖旋到旋转盘上方，盖好，操作人员手扶旋 转保护盘。 6. 选择好匀胶时间和匀胶频率后，按下“匀胶启动”的绿按钮。 7. 待匀胶完全停止后，关闭真空电源取出硅片。 注意 1. 真空气泵需要定期加油，注意油面情况，具体参照说明书。 2. 定期清理旋转盘里面残留的胶。 3. “真空”没有按下时，匀胶工作不能进行。 步骤 3：后烘干，80 摄氏度 20 分钟 步骤 4：硅片对焦后在紫外线下曝光；
01。持榄及截片台相 2.电组 03。持模板真空吸片开关04。显微镜“亮度”调节旋 5吸铁心装置及心指示06，系灯流器箱 07,双目显微镜组 09.显微镜焦距调节提组 09.是光时问控制器 10。吸陆片及真空理光开关 11.基座组 12.光刻机操作台 光刻机操作程序说明： (1)光刻机电源接通后，总电源开关“开”，主机工作指示灯 “亮”，汞灯整流器电源接通后，开关“开”，200W超高压球形汞 灯“亮”。15分钟后，待汞灯发出的光谱稳定后，在承片台的掩模 板上，放置照度计的“探头”，光源能量为Tmw以上，光照度的不均 匀性小于5%，上述两项要求在出厂前已经调整好。光照度的不均匀 性还可借助光源调整手轮X、Y、Z(曝光汞灯散热器两侧)来实现。 (②)旋转承片台Z向带柄手轮，承片轴沿Z向下降至极限位置时， 升降指示灯“亮”，并将Z向微分离手轮（亿向带柄旋钮前下端）调整 至“0”位，此时掩模装夹板可以向左侧移出。 (3)掩模清洁后，放置于掩模装夹板上，并将掩模的真空吸片阀
光刻机操作程序说明： (1)光刻机电源接通后，总电源开关“开”，主机工作指示灯 “亮”，汞灯整流器电源接通后，开关“开”，200W 超高压球形汞 灯“亮”。15 分钟后，待汞灯发出的光谱稳定后，在承片台的掩模 板上，放置照度计的“探头”，光源能量为 7mw 以上，光照度的不均 匀性小于 5％，上述两项要求在出厂前已经调整好。光照度的不均匀 性还可借助光源调整手轮 X、Y、Z(曝光汞灯散热器两侧)来实现。 (2)旋转承片台Z向带柄手轮，承片轴沿Z向下降至极限位置时， 升降指示灯“亮”，并将 Z 向微分离手轮(Z 向带柄旋钮前下端)调整 至“0"位，此时掩模装夹板可以向左侧移出。 (3)掩模清洁后，放置于掩模装夹板上，并将掩模的真空吸片阀
开关（图二/03）旋至“开”，这时掩模与掩模装夹板之间即产生吸附 力，为了防止掩模与硅片之间接触时所产生的顶力，使两者脱开，故 在掩模与掩模板上面再加掩模板压圈（备件），用滚花螺钉（图四/09） 将掩模与掩模装夹板之间压紧。这样掩模与掩模板装夹板之间不但有 真空吸附力，而且还加机械加固，故光刻过程更稳定可靠。 (④)将硅片安置在球形盘的端面上，并将硅片边缘紧靠预定位杆 及弦线定位块，按下吸片按钮（图二/10），使球形座面与硅片产生真 空吸附力，这时掩模装夹板可以沿着导轨向右侧移入，直至与定位 块相碰为止。旋动承片台Z向带柄手轮，将承片轴Z向上升，当硅片 与掩模接触时，再将微分离旋钮(2向带柄手轮前下端)退回至 “3”(即：下降30um),使掩模与硅片之间有一个微小的间隙（此 间隙量也可按操作者需要而定)，安置这个间隙的目的，是便于图形 匹配和延长掩模的使用寿命。 (⑤)调节显微镜焦距（图二/08），使掩模与硅片中的图形视觉最 清晰为止。 (6)掩模中的图形与硅片中的图形匹配，是旋动X向和Y向的手 轮来实现的，掩模沿着X、Y方向移动。旋转0角手轮(，承片台 作旋转运动，从显微镜观察，通过X、Y、日角的逐步凑近法，直至 使掩模中的图形与硅片中的图形相互重合为止。 (7)a.真空曝光：在承片台左侧设有吸铁盘和归心装置，当需 要曝光时，将吸铁盘移至中心位置，到达归心程度时，归心装置的指 示灯“亮”，然后再按下控制按钮（图二/10“真空曝光开关”，这
开关(图二／03)旋至“开”，这时掩模与掩模装夹板之间即产生吸附 力，为了防止掩模与硅片之间接触时所产生的顶力，使两者脱开，故 在掩模与掩模板上面再加掩模板压圈(备件)，用滚花螺钉(图四／09) 将掩模与掩模装夹板之间压紧。这样掩模与掩模板装夹板之间不但有 真空吸附力，而且还加机械加固， 故光刻过程更稳定可靠。 (4)将硅片安置在球形盘的端面上，并将硅片边缘紧靠预定位杆 及弦线定位块，按下吸片按钮(图二／10)，使球形座面与硅片产生真 空吸附力，这时掩模装夹板可以沿着导轨向右侧移入， 直至与定位 块相碰为止。旋动承片台 Z 向带柄手轮，将承片轴 Z 向上升，当硅片 与掩模接触时，再将微分离旋钮(z 向带柄手轮前下端)退回至 “3”(即：下降 30 u m)，使掩模与硅片之间有一个微小的间隙(此 间隙量也可按操作者需要而定)，安置这个间隙的目的，是便于图形 匹配和延长掩模的使用寿命。 (5)调节显微镜焦距(图二／08)，使掩模与硅片中的图形视觉最 清晰为止。 (6)掩模中的图形与硅片中的图形匹配，是旋动 X 向和 Y 向的手 轮来实现的， 掩模沿着 X、Y 方向移动。旋转 θ 角手轮(，承片台 作旋转运动，从显微镜观察，通过 X、Y、θ 角的逐步凑近法，直至 使掩模中的图形与硅片中的图形相互重合为止。 (7)a．真空曝光：在承片台左侧设有吸铁盘和归心装置，当需 要曝光时，将吸铁盘移至中心位置，到达归心程度时，归心装置的指 示灯“亮”，然后再按下控制按钮(图二／ 10“真空曝光开关”，这
时光刻机进入真空曝光状态)，真空曝光装置的指示灯“亮”，控制 按钮连接在左侧面板内的真空计上，当硅片与掩模之间的真空到达吸 附要求时，光刻机才能开始真空曝光，如果承片台不在归心位置，吸 铁盘的指示灯不亮，按下控制按钮时，光刻机不进行曝光工作。 b.分离曝光：将承片台进行归心操作，到达归心程度时，归心 装置的指示灯“亮”。然后按下右侧面板上的“分离曝光“按钮，光 刻机就进入“分离曝光”状态，（硅片与掩模间不形成真空腔），如果 承片台不在归心位置，按下“分离曝光”按钮时，光刻机不进入曝光 状态。 注意事项 1.开机时，必须先打开主机电源，然后再打开汞灯电源：关机 时，必须先关闭汞灯电源，然后再关闭主机电源。 2.汞灯在切断电源或自行熄灭后，必须将汞灯整流器的电源拨 至“关”。待汞灯完全冷却后才能再次起辉，时间约为15分钟左右。 3.光刻机在使用过程中，各运动部件如发生故障及机件卡塞等 现象，必须停止使用，查明原因，否则将损坏电子元件或机件。 4.光刻机不使用时，应罩好防尘罩，以免灰尘及其它污物侵入 光学零件，影响观察。 步骤5：显影去除曝光部分光刻胶，进行坚膜以增强黏附性： 步骤6：显微镜检查： 步骤7：用光刻胶做为掩膜干法刻蚀： 步骤8：去胶：
时光刻机进入真空曝光状态)，真空曝光装置的指示灯“亮”，控制 按钮连接在左侧面板内的真空计上，当硅片与掩模之间的真空到达吸 附要求时，光刻机才能开始真空曝光，如果承片台不在归心位置，吸 铁盘的指示灯不亮，按下控制按钮时，光刻机不进行曝光工作。 b．分离曝光：将承片台进行归心操作，到达归心程度时，归心 装置的指示灯“亮”。然后按下右侧面板上的“分离曝光"按钮，光 刻机就进入“分离曝光”状态，(硅片与掩模间不形成真空腔)，如果 承片台不在归心位置，按下“分离曝光”按钮时，光刻机不进入曝光 状态。 注意事项 1．开机时，必须先打开主机电源，然后再打开汞灯电源；关机 时，必须先关闭汞灯电源，然后再关闭主机电源。 2．汞灯在切断电源或自行熄灭后，必须将汞灯整流器的电源拨 至“关”。待汞灯完全冷却后才能再次起辉，时间约为 15 分钟左右。 3．光刻机在使用过程中，各运动部件如发生故障及机件卡塞等 现象，必须停止使用，查明原因，否则将损坏电子元件或机件。 4．光刻机不使用时，应罩好防尘罩，以免灰尘及其它污物侵入 光学零件，影响观察。 步骤 5：显影去除曝光部分光刻胶，进行坚膜以增强黏附性； 步骤 6：显微镜检查； 步骤 7：用光刻胶做为掩膜干法刻蚀； 步骤 8：去胶；
五、实验报告 1、简述半导体光刻的原理，实验过程。 2、分析影响半导体光刻质量的因素
五、实验报告 1、简述半导体光刻的原理，实验过程。 2、分析影响半导体光刻质量的因素