2.三极管的输出特性: Ic(mA 100LA 80HA 60uA 40uA 20uA I=0 36912UcE(V) 图2 2.2.7
2.三极管的输出特性: IC(mA ) 1 2 3 4 UCE 3 6 9 12 (V) IB=0 20A 40A 60A 80A 100A 图2.2.7
三极管的三种工作状态: VcR卓(E IB Rb T 2 B 0.7 图2.2.8 (1)截止状态:当M小于三极管发射结死区电压时,=B0≈0,E=(o≈~0, VE≈Kc,三极管工作在截止区,对应图22.8(b)中的A点 极管工作在截止状态的条件为:发射结反偏或小于死区电压 (2)放大状态:当为正值且大于死区电压时,三极管导通,有IB= R 此时,若调节属↓,则↑,↑,VE↓,工作点沿着负载线由A点→B 点→C点→D点向上移动。在此期间,三极管工作在放大区,其特点为 L=BB° 三极管工作在放大状态的条件为:发射结正偏,集电结反偏
（1）截止状态：当VI小于三极管发射结死区电压时，IB＝ICBO≈0，IC＝ICEO≈0， V CE≈VCC，三极管工作在截止区，对应图2.2.8（b）中的A点。 三极管工作在截止状态的条件为：发射结反偏或小于死区电压. +V － + 1 T 2 b 3 c e R Rb CC I V i B i C C C i IB1 B2 I IB3 B4 I IB5 IB=0 = I BS A B C D E CE v CC V VCC/RC CS I 0.7V (a) (b) （2）放大状态：当VI为正值且大于死区电压时,三极管导通,有 b I b I BE B R V R V V I − = 此时，若调节Rb↓，则IB↑，IC↑，VCE↓，工作点沿着负载线由A点→B 点→C点→D点向上移动。在此期间，三极管工作在放大区，其特点为 I C＝βIB。 三极管工作在放大状态的条件为：发射结正偏，集电结反偏. 三极管的三种工作状态: 图2.2.8
(3)饱和状态:保持V不变,继续减小,当VE 0.7V时,集电结变为零偏,称为临界饱和状态,对应 图1.45(b)中的E点。此时的集电极电流称为集电极 饱和电流,用Is表示,基极电流称为基极临界饱和电 流,用环表示,有: cc-07v VCC R o 若再减小,石会继续增加,但l已接近于最大值 V/R,不会再增加,三极管进入饱和状态。饱和时的 ce电压称为饱和压降Es,其典型值为:Vcs≈0.3V。 极管工作在饱和状态的电流条件为:> 电压条件为:集电结和发射结均正偏
（3）饱和状态：保持VI不变，继续减小Rb，当VCE ＝ 0.7V时，集电结变为零偏，称为临界饱和状态，对应 图1.4.5（b）中的E点。此时的集电极电流称为集电极 饱和电流，用ICS表示，基极电流称为基极临界饱和电 流，用IBS表示，有: 若再减小Rb，IB会继续增加，但IC已接近于最大值 VCC/RC，不会再增加，三极管进入饱和状态。饱和时的 VCE电压称为饱和压降VCES，其典型值为：VCES≈0.3V。 三极管工作在饱和状态的电流条件为：IB＞ IBS 电压条件为：集电结和发射结均正偏 • C CC C - 0.7V R V R V I CC CS = C CS CC BS R I V I = =
3.三极管的开关特性: (1)延迟时间t 从输入信号v正跳变的 瞬间开始,到集电极电流c (2)上升时间t 集电极电流从0.1C上 升到0.9s所需的时间。 Ic (3)存储时间t 从输入信号v下跳变的 瞬间开始,到集电极电流i 下降到0.9所需的时间。 (4)下降时间t Ics 0.lcs 集电极电流从0.9s下降 到0.1(s所需的时间。 0.lcs 图1.4.7BJT开关的动态特性 (a)输入电压波形(b)理想的集电极电流波形(c)实际的集电极电流波形
3．三极管的开关特性： （1）延迟时间td—— 从输入信号vi正跳变的 瞬间开始，到集电极电流iC （2）上升时间tr—— 集电极电流从0.1ICS上 升到0.9ICS所需的时间。 （3）存储时间ts—— 从输入信号vi下跳变的 瞬间开始，到集电极电流iC 下降到0.9ICS所需的时间。 （4）下降时间tf—— 集电极电流从0.9ICS下降 到0.1ICS所需的时间。 图1.4.7 BJT开关的动态特性 （a）输入电压波形 （b）理想的集电极电流波形 （c）实际的集电极电流波形 t t r t 0.1 0.9 t v V 0 1 I V2 i C ICS I CEO i C CS I ICS CS I t f t S t d (a) (b) (c)
三、MOS管的特性: DD DD G 开启电压 Gs(th) DD G G
N+ VDD s G D N+ P N+ VDD s G D N+ P VGS N+ VDD s G D N+ P VGS N+ VDD s G D N+ P VGS 三、MOS管的特性： 开启电压 VGS(th)