、半导体二极管: 二极管的伏安特性: +(m 正向 导通压降: 死区电压 硅管 硅管0.5V锗阮区0.6-0.7V锗 管0.IV。 5管0.20.3V U 反向击穿 电压UBR 反向 u 图22
一、半导体二极管： 1.二极管的伏安特性: U+ (V) I 死区电压 硅管0.5V,锗 管0.1V。 导通压降: 硅管 0.6~0.7V,锗 管0.2~0.3V。 反向击穿 电压U(BR) 死区 电压 正向 反向 +(mA) I- (uA) U- (V) 图2.2.1
二极管的开关特性: 1.二极管开关的静态特性: K 加正向电压不时,二极→ 管导通,管压降巧可忽 (a) 略。二极管相当于一个 闭合的开关。 图2.2.2二极管加正向电压 加反向电压K时, 极管截止,反向电流 RL RL I可忽略。二极管相 当于一个断开的开关。 图2.2.3二极管加反向电压
加反向电压VR时，二 极管截止，反向电流 IS 可忽略。二极管相 当于一个断开的开关。 F D K V F I F V F L R I (a) (b) RL 图2.2.2 二极管加正向电压 二、二极管的开关特性： 1．二极管开关的静态特性： 加正向电压VF时，二极 管导通，管压降VD可忽 略。二极管相当于一个 闭合的开关。 K L D V R I S R V L R R (a) (b) 图2.2.3 二极管加反向电压
2.二极管开关的动态特性 0 t R R F 图224 0.l RR 反向恢复时间:t。=ts十t
2．二极管开关的动态特性： 反向恢复时间：tre ＝ts十tt 0 t VF VR v i t1 0 t IF IR ts tt 0.1IR i (b) (d) + － D vi RL i (a) t F S (c) i I 0 I t1 t1 图2.2.4
反向恢复时间:t。=ts十t 产生反向恢复过程的原因 反向恢复时间t就是存储电荷消散所需要的时间。 P区耗尽层N区 oooooo oo。o P区中电子 N区中空穴 浓度分布 浓度分布 (b) L 图2.2.5加正向电压时二极管存储电荷的分布 同理,二极管从截止转为正向导通也需要时间,这段时间称为开通 时间。开通时间比反向恢复时间要小得多,一般可以忽略不计
反向恢复时间：tre ＝ts十tt 产生反向恢复过程的原因： 反向恢复时间tre就是存储电荷消散所需要的时间。 + － P 区 耗尽层 N 区 Ln Lp 区中电子 区中空穴 浓度分布 浓度分布 P N (a) (b) x 图2.2.5 加正向电压时二极管存储电荷的分布 同理，二极管从截止转为正向导通也需要时间，这段时间称为开通 时间。开通时间比反向恢复时间要小得多，一般可以忽略不计
、半导体三极管: 工作压降:硅管 1.三极管的输入特性 kp≈0.6-07V,锗 管UBE≈0.2~0.3V。 IB(μA) 80 60 Ucg≥lV 40 死区电 压,硅管20 0.5V,锗 UREOV 管0V 0.40.8 图2.2.6
1.三极管的输入特性 工作压降： 硅管 UBE0.6~0.7V,锗 管UBE0.2~0.3V。 二、半导体三极管： IB (A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE1V 死区电 压，硅管 0.5V，锗 管0.1V。 图2.2.6