CV法的基本原理和过程 化学气相沉积是利用气态物质在一固体材料表面上进行化学反应,生成固态 沉积物的过程。CVD在本质上是一种材料的合成过程,其主要步骤有: (1)反应剂被携带气体进入反应器后,在基体材料表面附近形成边界后,然 后在主气流中的反应剂越过边界扩散型材料表面。 (2)反应剂被吸附在基体材料表面,并进行化学反应。 (3)化学反应生成的固态物质,即所需要的沉积物,在基体材料表面成核, 生长成薄膜。 (4)反应后的气相产物离开基体材料表面,扩散回边界层,并随输运气体排 出反应室。 反气棒入 加热器 長应室 尾气出口 ÷ 村架和衬底 图511化学气相沉积法原理示意图
CVD法的基本原理和过程 化学气相沉积是利用气态物质在一固体材料表面上进行化学反应，生成固态 沉积物的过程。CVD在本质上是一种材料的合成过程，其主要步骤有： （1）反应剂被携带气体进入反应器后，在基体材料表面附近形成边界后，然 后在主气流中的反应剂越过边界扩散型材料表面。 （2）反应剂被吸附在基体材料表面，并进行化学反应。 （3）化学反应生成的固态物质，即所需要的沉积物，在基体材料表面成核， 生长成薄膜。 （4）反应后的气相产物离开基体材料表面，扩散回边界层，并随输运气体排 出反应室
cVD工艺特点: (1)cvD成膜温度远低于体材料的熔点。因此减 轻了衬底片的热形变,减少了玷污,抑制了缺陷 生成;设备简单,重复性好; (2)薄膜的成分精确可控; (3)淀积速率一般高于PVD(如蒸发、溅射等) (4)淀积膜结构完整、致密,与衬底粘附性好 (5)极佳的覆盖能力
CVD工艺特点： （1）CVD成膜温度远低于体材料的熔点。 因此减 轻了衬底片的热形变，减少了玷污，抑制了 缺陷 生成; 设备简单，重复性好； （2）薄膜的成分精确可控； （3）淀积速率一般高于PVD（如蒸发、溅射等） （4）淀积膜结构完整、致密，与衬底粘附性好。 （5）极佳的覆盖能力