数字辑电暗教学课程 2.1.3MOS管的开关特性 CC R D MOS管的三个工作区: NMOS 管开关 截止区;非饱和区;饱和区。 电路 MOS管作开关使用时,通常工作在截止区和非饱和区。 数字集成电路中常用的MOS管为P沟道增强型和N沟道增 强型。 (1)导通条件及导通时的特点(以NMOS管为例) Nanjing University of Science Technology
2.1.3 MOS管的开关特性 G S D RD VCC MOS管的三个工作区： 截止区；非饱和区；饱和区。 MOS管作开关使用时，通常工作在截止区和非饱和区。 数字集成电路中常用的MOS管为P沟道增强型和N沟道增 强型。 NMOS 管开关 电路 (1) 导通条件及导通时的特点(以NMOS管为例)
数字辑电暗教学课程 导通条件:Ⅴcs>VTN(YT为NMOS管的开启电压) 导通时的特点:在开关电路中,MOS管导通时一般工作 在非饱和区,这时要求Ves>V+ⅤDs,导通电阻Rs为几 百欧姆。 (2)截止条件及截止时的特点 截止条件:Ⅴcs<VTN 截止时的特点:漏一源之间没有形成导电沟道,呈高阻 状态,阻值一般为109~101g,MOS管截止。 Nanjing University of Science Technology
导通条件: VGS > VTN (VTN为NMOS管的开启电压) 导通时的特点: 在开关电路中,MOS管导通时一般工作 在非饱和区,这时要求VGS > VTN +VDS ,导通电阻RDS为几 百欧姆。 (2) 截止条件及截止时的特点 截止条件: VGS <VTN 截止时的特点: 漏—源之间没有形成导电沟道,呈高阻 状态,阻值一般为109~1010Ω,MOS管截止
数字辑电暗教学课程 DD DD D NMOS管开关近 似直流等效电路 Rns(几百9) (3)开关时间 导通状态 截止状态 MOS管本身的开关时间很小.组成开关电路时,由于管 子间的寄生电容和布线电容的存在,加上MOS管的输入、 输出阻抗较大,使输入、输出电路的充放电时间常数增加, 影响了开关时间。 Nanjing University of Science Technology
NMOS管开关近 似直流等效电路 VDD RD RDS D G S (几百Ω) 导通状态 VDD RD D G S (3) 开关时间 截止状态 MOS管本身的开关时间很小.组成开关电路时,由于管 子间的寄生电容和布线电容的存在,加上MOS管的输入、 输出阻抗较大,使输入、输出电路的充放电时间常数增加, 影响了开关时间
数字辑电暗教学课程 2.2分立元件门电路 2.2.1二极管门电路 Vccs) 1.二极管与门 & ABC ABC 原理图 逻辑符号 假设:二极管为理想开关; 输入信号Ⅴu=0V,Vm=3V Nanjing University of Science Technology
2.2 分立元件门电路 2.2.1 二极管门电路 1. 二极管与门 A & B C F 逻辑符号 DA DB DC RO VCC(5V) A B C F 原理图 假设：二极管为理想开关； 输入信号VIL=0V,VIH=3V
数字辑电暗教学课程 Vcc(5v 分两种情况分析: R 1)A、B、C三端输入均为3V A 二极管DA、DB、Dc均导通 BVB F=3V 3V C 2)A、B、C三端输入有0V信号输入时,如A、B为0V,C 端输入3V 二极管DA、Dg导通,D截止 F=OV 综上所述:电路为二极管与门 Nanjing University of Science Technology
综上所述:电路为二极管与门 DA DB DC RO VCC(5V) A B C F 分两种情况分析： 1) A、B、C三端输入均为3V 二极管DA、DB、DC均导通 F=3V 3V 3V 3V 3V 2) A、B、C三端输入有0V信号输入时，如A、B为0V, C 端输入3V 二极管DA、DB导通,DC截止 F=0V 0V 0V 3V 0V