数字辑电暗教学课程 K 近似等 V:>0.7 简化等 效电路 v;>0.7 R 效电路 (2)截止条件及截止时的特点 简化等 0.5 V<0.5 R|电路图 R 效电路 Nanjing University of Science Technology
+ - Vi >0.7 R VD 近似等 效电路 + - Vi >0.7 R K 简化等 效电路 (2) 截止条件及截止时的特点 D + - Vi<0.5 R 电路图 + - Vi <0.5 R K 简化等 效电路
数字辑电暗教学课程 (3)开关时间 ①开启时间:由反向截止转换为正向导通所需要的时间 二极管的开启时间很小,可忽略不计 ②关断时间:由正向导通转换为反向截止所需要的时间 二极管的关断时间大约几纳秒。 Nanjing University of Science Technology
(3) 开关时间 ① 开启时间: 由反向截止转换为正向导通所需要的时间. 二极管的开启时间很小,可忽略不计。 ②关断时间: 由正向导通转换为反向截止所需要的时间。 二极管的关断时间大约几纳秒
数字辑电暗教学课程 2.1.2半导体三极管的开关特性 R (1)饱和导通条件及饱和时的特点 饱和导通条件: CS CC B=1Bs一 βRC 三极管开关电路 饱和导通时的特点 B0VⅤcE=ⅤcEs=0.1~0.3V 发射极和集电极之间如同闭合的开关 Nanjing University of Science Technology
IC RC Rb IB Vi Vo Vcc 三极管开关电路 (1) 饱和导通条件及饱和时的特点 饱和导通条件: IB≥IBS= ICS β ≈ VCC βRC 饱和导通时的特点: VBE≈0.7V VCE=VCES=0.1~0.3V 发射极和集电极之间如同闭合的开关 2.1.2 半导体三极管的开关特性
数字辑电暗教学课程 (2)截止条件及截止时的特点 截止条件:VBE<0.5V(硅三极管发射结导通电压) 截止时的特点:发射结和集电结均为反向偏置,IBl≈0, 发射极和集电极之间如同断开的开关。 三极管开关的近07V 0.1-03V上入 似直流等效电路 e 饱和时 截止时 Nanjing University of Science Technology
(2) 截止条件及截止时的特点 截止条件: VBE<0.5V (硅三极管发射结导通电压) 截止时的特点: 发射结和集电结均为反向偏置,IB≈IC≈0, 发射极和集电极之间如同断开的开关。 + _ + 0.7V _ 0.1~0.3V b c e 饱和时 e c b 截止时 三极管开关的近 似直流等效电路
数字辑电暗教学课程 (3)开关时间 开启时间t:三极管由截止到饱和所需要的时间, 纳秒(ns)级。 关断时间tm:三极管饱和由到截止所需要的时间, 纳秒(ns)级,tom>ton bo的大小与工作时三极管饱和导通的深度有关,饱和程度 越深,tr越长,反之则越短。 Nanjing University of Science Technology
(3) 开关时间 开启时间ton : 三极管由截止到饱和所需要的时间, 纳秒(ns)级。 关断时间toff : 三极管饱和由到截止所需要的时间, 纳秒(ns)级, toff > ton 。 toff的大小与工作时三极管饱和导通的深度有关,饱和程度 越深, toff 越长,反之则越短