14.3.2伏安特性 正向特性 特点：非线性 反向击穿 PN 电压UBR) 导通压降 硅管0.60.8V 锗管0.20.3V 反向电流在 共N 死区电压 硅管0.5V 定电压范围 锗管0.1V 内保持常数。 反向特性 外加电压大于死区 外加电压大于反向击穿 电压，二极管导通。 电压，二极管被击穿，失 去单向导电性。 16/58 章目录上一页下一页返回退出
章目录 上一页 下一页 返回 退出 U I O 14.3.2 伏安特性 硅管0.5V 锗管0.1V 导通压降 外加电压大于死区 外加电压大于反向击穿 电压，二极管导通。 电压，二极管被击穿，失 去单向导电性。 正向特性 反向特性 特点：非线性 反向击穿 电压U (BR) 硅管0.6~0.8V 锗管0.2~0.3V P – + N 死区电压 P + – N 反向电流在 一定电压范围 内保持常数。 16/58
14.3.3主要参数 1.最大整流电流IoM 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向 平均电流。 2.反向工作峰值电压URwM 是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压， 一般是二极管反向击穿电压UBR的一半或三分之二。 二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。 3.反向峰值电流IRM 指二极管加反向工作峰值电压时的反向电流值。 反向电流大，说明管子的单向导电性差，IM受温度 的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较 小，锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍。 17/58 章目录上一页下一页返回退出
17/58 章目录 上一页 下一页 返回 退出 14.3.3 主要参数 1. 最大整流电流 IOM 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向 平均电流。 2. 反向工作峰值电压URWM 是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压， 一般是二极管反向击穿电压UB R的一半或三分之二。 二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。 3. 反向峰值电流IRM 指二极管加反向工作峰值电压时的反向电流值。 反向电流大，说明管子的单向导电性差，IRM受温度 的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较 小，锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍
二极管的单向导电性 1.二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴极 接负)时，二极管处于正向导通状态，二极管正向电 阻较小，正向电流较大。 2.二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极 接正)时，二极管处于反向截止状态，二极管反向电 阻较大，反向电流很小。 3.外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失 去单向导电性。 4.二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反 问电流愈大。 18/58 章目录上一页下一页返回退出
章目录 上一页 下一页 返回 退出 二极管的单向导电性 18/58 1. 二极管加正向电压(正向偏置，阳极接正、阴极 接负)时，二极管处于正向导通状态，二极管正向电 阻较小，正向电流较大。 2. 二极管加反向电压(反向偏置，阳极接负、阴极 接正 )时, 二极管处于反向截止状态，二极管反向电 阻较大，反向电流很小。 3. 外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失 去单向导电性。 4. 二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反 向电流愈大
二极管的应用 二极管的应用广泛。根据二极管的单向导电性， 它可用于整流、检波、限幅、元件保护及在数字电路 中作为开关元件等。 使用注意 实际二极管应考虑其正向压降（硅管0.6~0.7V, 锗管0.2~0.3V)。 理想二极管正向压降为零，反向截止。 分析方法：将二极管断开。 若V阳>V阴，则二极管导通； 若V阳<V阴，则二极管截止。 19158 章目录上一页下一页返回退出
章目录 上一页 下一页 返回 退出 二极管的应用广泛。根据二极管的单向导电性， 它可用于整流、检波、限幅、元件保护及在数字电路 中作为开关元件等。 使用注意 实际二极管应考虑其正向压降 (硅管0.6～0.7V， 锗管0.2～0.3V)。 理想二极管正向压降为零，反向截止。 分析方法：将二极管断开。 若 V 阳 >V阴，则二极管导通； 若 V 阳 <V阴，则二极管截止。 19/58 二极管的应用