2、CMOS多谐振荡器 第一暂稳态及其自 动翻转的工作过程 G ui2 12t3 (uo1 0 R (a)电路图 (b)波形图 在1时刻,v由0变为1,由于电容电压不能跃变,故1必定跟随 个 以维持已进入的这个暂稳态。在这个暂稳态期间,电容C通过电 阻R放电,使l1逐渐下降。在12时刻,l1上升到门电路的开启电 压UT,使u1(2)由0变为1,由1变为0。同样由于电容电压 不能跃变,故v1跟随u发生负跳变,于是vn2(lo1)由0变为1。这 个高电平保持u为0。至此,第一个暂稳态结束,电路进入第二 个暂稳态
ui1 uo1 ui2 uo 0 (a) 电路图 & & R C uo ui1 t t t (b) 波形图 0 0 G1 G2 ui2 (uo 1) UT t 1 t 2 t 3 2、CMOS多谐振荡器 在t1时刻， uo由0变为1，由于电容电压不能跃变，故ui1必定跟随 uo发生正跳变，于是ui2（uo1）由1变为0。这个低电平保持uo为1， 以维持已进入的这个暂稳态。在这个暂稳态期间，电容C通过电 阻R放电，使ui1逐渐下降。在t2时刻，ui1上升到门电路的开启电 压UT，使uo1（ui2）由0变为1，uo由1变为0。同样由于电容电压 不能跃变，故ui1跟随uo发生负跳变，于是ui2（uo1）由0变为1。这 个高电平保持uo为0。至此，第一个暂稳态结束，电路进入第二 个暂稳态。 第一暂稳态及其自 动翻转的工作过程
第二暂稳态及其自 动翻转的工作过程 0 dol 0 R (a)电路图 (b)波形图 在t2时刻,01变为高电平,这个高电平通过电阻R对电容C充电 随着放电的进行,u1逐渐上升。在时刻,l1上升到U1,使uo n)又由0变为1,第二个暂稳态结束,电路返回到第一个暂 稳态,又开始重复前面的过程 若Ur=051b,振荡周期为: T≈1.4RC
ui1 uo1 ui2 uo 0 (a) 电路图 & & R C uo ui1 t t t (b) 波形图 0 0 G1 G2 ui2 (uo 1) UT t 1 t 2 t 3 第二暂稳态及其自 动翻转的工作过程 在t2时刻，uo1变为高电平，这个高电平通过电阻R对电容C充电。 随着放电的进行，ui1逐渐上升。在t3时刻，ui1上升到UT，使uo （ui1）又由0变为1，第二个暂稳态结束，电路返回到第一个暂 稳态，又开始重复前面的过程。 若 UT ＝0.5VD D，振荡周期为： T≈1.4RC
3、石英晶体多谐振荡器 R R 电感性 & (a)石英晶体多谐振荡器 (b)石英晶体阻抗频率特性 电阻R1、R2的作用是保证两个反相器在静态时都能工作在线性 放大区。对T反相器,常取R1=R2=R=07kg~2k2,而对 于CMOS门,则常取R1=R2=R=10k92~100k9;C1=C2=C 是耦合电容,它们的容抗在石英晶体谐振频率∫时可以忽略不 计;石英晶体构成选频环节 振荡频率等于石英晶体的谐振频率f
& & R1 C2 R2 C1 uo f (a) 石英晶体多谐振荡器 (b) 石英晶体阻抗频率特性 0 X f 0 电 容 性 电 感 性 3、石英晶体多谐振荡器 电阻R1、R2的作用是保证两个反相器在静态时都能工作在线性 放大区。对TTL反相器，常取R1 ＝R2 ＝R＝0.7 kΩ～2kΩ，而对 于CMOS门，则常取R1 ＝R2 ＝R＝10kΩ～100kΩ；C1 ＝C2 ＝C 是耦合电容，它们的容抗在石英晶体谐振频率f0时可以忽略不 计；石英晶体构成选频环节。 振荡频率等于石英晶体的谐振频率f0
7.1.2由555定时器构成的多谐振荡器 (7.5~16V 1、55定时器 复位端 电压 CC R 低电平有效 控制端 5k Q2 G CO & TH°x 高电平 5k Q2 触发端/TR°2 &9 D T 5k Q2 低电平 触发端 放电端
7.1.2 由555定时器构成的多谐振荡器 1、555定时器 1 & & & CO T H T R +VCC u O D 5kΩ 5kΩ 5kΩ C1 C2 G1 G2 G3 T + + － － 2 6 5 8 4 3 7 R Q Q 低电平 触发端 高电平 触发端 电压 控制端 复位端 低电平有效 放电端 7.5～16V
0 5k Q2 G CO 0 & 5k Q2 TR & O D T 5k Q2 ①R=0时,Q1,u=0,T导通
1 & & & CO T H T R +VCC u O D 5kΩ 5kΩ 5kΩ C1 C2 G1 G2 G3 T + + － － 2 6 5 8 4 3 7 R Q Q 0 0 1 ①R=0时，Q=1，uo=0，T导通