令压电性、热释电性高分子材料 ▣因为压电性起因于宏观形变和内部形变，所以可在不 具有对称中心的晶体中观察到。 ▣压电性物质中，有极性结构的还呈现热释电性。 ▣聚肽等薄膜具有压电性，但由于无极性，所以没有热 释电性。 ▣将强介电性陶瓷分散在高分子中而得到的复合材料也 可显示压电性和热释电性。 电子科技大学敏材料与传感器课程组
电子科技大学 敏感材料与传感器 课程组 制作 因为压电性起因于宏观形变和内部形变，所以可在不 具有对称中心的晶体中观察到。 压电性物质中，有极性结构的还呈现热释电性。 聚肽等薄膜具有压电性，但由于无极性，所以没有热 释电性。 将强介电性陶瓷分散在高分子中而得到的复合材料也 可显示压电性和热释电性。 压电性、热释电性高分子材料
感光性高分子材料 /986 大规模集成电路的制造成功，离不开称为抗蚀剂的高分 子材料和微细加工技术所起的作用。 初期的抗蚀剂称为热抗蚀剂。该材料是因可见光照射而 诱发化学反应，导致对溶剂的溶解性发生变化的材料。 由于电子器件高密度化的要求，希望制作微小的图案， 从而要求使抗蚀剂产生化学反应的波长更短。 电子科技大学敏常材料与传感器课程组 制相
电子科技大学 敏感材料与传感器 课程组 制作 感光性高分子材料 大规模集成电路的制造成功，离不开称为抗蚀剂的高分 子材料和微细加工技术所起的作用。 初期的抗蚀剂称为热抗蚀剂。该材料是因可见光照射而 诱发化学反应，导致对溶剂的溶解性发生变化的材料。 由于电子器件高密度化的要求，希望制作微小的图案， 从而要求使抗蚀剂产生化学反应的波长更短
感光性高分子材料 /986 对于抗蚀剂，在要求能形成薄膜的同时，还希望对短波光反应敏 感。从热抗蚀剂开始，现已开发出远紫外线(deep UV)抗蚀剂、 软X射线抗蚀剂、电子束抗蚀剂等多种。 抗蚀剂有正型和负型。正型（正胶）就是在放射线照射部分产生高分 子链的切断反应而增加溶解性，负型（负胶）是在照射部分产生交 联反应而减少溶解性。一般说来，正型抗蚀剂分辨率优越，但灵 敏度低；负型灵敏度高，但分辨率差。 电子科技大学敏材料与传感器课程组 制作
电子科技大学 敏感材料与传感器 课程组 制作 • 对于抗蚀剂，在要求能形成薄膜的同时，还希望对短波光反应敏 感。从热抗蚀剂开始，现已开发出远紫外线（deep UV）抗蚀剂、 软X射线抗蚀剂、电子束抗蚀剂等多种。 • 抗蚀剂有正型和负型。正型(正胶)就是在放射线照射部分产生高分 子链的切断反应而增加溶解性，负型(负胶) 是在照射部分产生交 联反应而减少溶解性。一般说来，正型抗蚀剂分辨率优越，但灵 敏度低；负型灵敏度高，但分辨率差。 感光性高分子材料
感光性高分子材料光刻情况示意图 /986 ↓↓↓↓↓ ↓↓↓↓↓ 曝光 曝光 显影 显影 正胶 负胶 电子科技大学敏感材料与传感器课程组 制作
电子科技大学 敏感材料与传感器 课程组 制作 感光性高分子材料 光刻情况示意图 正胶 负胶
/986 第3节超薄分子敏感膜的制备技术 3.1LB膜技术 3.2SA膜技术 3.3超薄膜技术应用举例 电子科技大学敏常材料与传感器课程组制作
电子科技大学 敏感材料与传感器 课程组 制作 第3节 超薄分子敏感膜的制备技术 3.1 LB膜技术 3.2 SA膜技术 3.3 超薄膜技术应用举例