4.1.3P沟道 MOSFET ip/mA ip/mA 20-15-10-50 2V VTp UGS 3V 饱和区 4V 5V -6V 可变 UDS=UGs. 电阻 区 电流均以流入漏极的方向为正! #是增强型还是耗尽型特性曲线? #耗尽型特性曲线是怎样的?v加什么极性的电压能使管子 工作在饱和区(线性放大区)?
4.1.3 P沟道MOSFET # 是增强型还是耗尽型特性曲线？ # 耗尽型特性曲线是怎样的？vGS加什么极性的电压能使管子 工作在饱和区（线性放大区）？ 电流均以流入漏极的方向为正！
4.14沟道长度调制等几种效应 1.沟道长度调制效应 实际上饱和区的曲线并不是平坦的(N沟道为例) 修正后i=Kn(Os-V)3(1+1os)=lo(-1)2(1+1nms) ≈01vL的单位为umv称为厄雷(Eary)电压 ip/mA 斜率= 6V VA=-1/ 当不考虑沟道调制效应时,=0,曲线是平坦的
4.1.4 沟道长度调制等几种效应 实际上饱和区的曲线并不是平坦的（N沟道为例） ( ) (1 ) DS 2 i D = Kn vG S −VTN + v ( 1) (1 ) DS 2 TN G S DO v v = − + V I 1 L的单位为m 0 1 − V L . 当不考虑沟道调制效应时，＝0，曲线是平坦的。 修正后 VA称为厄雷（Early）电压 1. 沟道长度调制效应
4.14沟道长度调制等几种效应 2.衬底调制效应(体效应) 衬底未与源极并接时,衬底与源极间的偏压Ug将影响实际的开启 (夹断)电压和转移特性。 ip/mA N沟道增强型 DBS VGG 耗尽层 P 5B衬底引线 VIN 4 对耗尽型器件的夹断电压有类似的影响VN表示Bs=0时的开启电压
4.1.4 沟道长度调制等几种效应 s g d B 衬底引线 N ＋ N ＋ VGG 耗尽层 P VDD vBS + - 衬底未与源极并接时，衬底与源极间的偏压vBS将影响实际的开启 （夹断）电压和转移特性。 VTNO表示vBS = 0时的开启电压 2. 衬底调制效应（体效应） N沟道增强型 对耗尽型器件的夹断电压有类似的影响
4.14沟道长度调制等几种效应 2.衬底调制效应(体效应) DD 为保证导电沟道与衬底之 间的PN结反偏,要求: d N沟道:s≤0 UBS P沟道:vBs≥0 耗尽层 P B衬底引线 通常,N沟道器件的衬底接电路的最低电位,P沟道器件的衬 底接电路的最高电位
4.1.4 沟道长度调制等几种效应 2. 衬底调制效应（体效应） 通常，N沟道器件的衬底接电路的最低电位，P沟道器件的衬 底接电路的最高电位。 为保证导电沟道与衬底之 间的PN结反偏，要求： N沟道: vBS 0 P沟道: vBS 0 s g d B 衬底引线 N ＋ N ＋ VGG 耗尽层 P VDD vBS + -
4.14沟道长度调制等几种效应 3.温度效应 和电导常数Kn随温度升高而下降,且K受温度的 影响大于V受温度的影响。 可变电阻区=Kn2(cs-V1)ns-0k 饱和区 n(gs TN 当温度升高时,对于给定的vs,总的效果是漏极电流 减小
4.1.4 沟道长度调制等几种效应 3. 温度效应 VTN和电导常数Kn随温度升高而下降，且Kn受温度的 影响大于VTN受温度的影响。 当温度升高时，对于给定的VGS，总的效果是漏极电流 减小。 [2( ) ] 2 D = Kn vG S −VTN vDS − vDS 可变电阻区 i 2 D n G S TN 饱和区 i = K (v −V )