LOGO 第8章蚀刻技术 印制电路原理和工艺
LOGO 第8章 蚀刻技术 印制电路原理和工艺
概述 过硫酸盐蚀刻 4(蚀刻技术 E氯化铁蚀刻 铬酸硫酸蚀刻 氯化铜蚀刻 圆健与镜层突 蚀刻技术 氧化氢硫酸 侧蚀设备 www.themegallery.com 蚀钱术
www.themegallery.com 蚀刻技术 Add Your Text 概述 三氯化铁蚀刻 过硫酸盐蚀刻 铬酸/硫酸蚀刻 蚀刻技术 蚀刻技术 氯化铜蚀刻 过氧化氢/硫酸 蚀刻工艺 侧蚀与镀层突沿 侧蚀设备
8.1概述 当印制电路板在完成图形转移之后,要用化学腐 蚀的方法,去除无用的金属箔(层)部分,以获 得所需要的电路图形。这一工艺过程称为“蚀刻 工艺”,简称“蚀刻” 最早是使用三氯化铁的水溶液为蚀刻液。由于存 在着溶液处理及污染等固有的缺点,而逐渐被淘 汰代之以氯化铜、过硫酸盐、过氧化氢一硫酸、 氨碱以及其它刻蚀液。 www.themegallery.com
www.themegallery.com 8.1 概述 ❖当印制电路板在完成图形转移之后，要用化学腐 蚀的方法，去除无用的金属箔（层）部分，以获 得所需要的电路图形。这一工艺过程称为“蚀刻 工艺”，简称“蚀刻” 。 ❖最早是使用三氯化铁的水溶液为蚀刻液。由于存 在着溶液处理及污染等固有的缺点，而逐渐被淘 汰代之以氯化铜、过硫酸盐、过氧化氢—硫酸、 氨碱以及其它刻蚀液
表8-1三氯化铁蚀刻剂的组成(20°C) 低溶度 最佳浓度范规 高浓度 重量百分比 28 34 38 42 浓度(克/升) 365 45.2 530 608 (摩尔/升) 2.25 2.7 3.27 3.75 比重(克/毫升) 1.2751.3531.402 1.450 波美度(Be)31.5 38 42 45 www.themegallery.com
www.themegallery.com 低溶度 最佳浓度范规 高浓度 重量百分比 28 34 38 42 浓度 （克/升） 365 45.2 530 608 （摩尔/升） 2.25 2.7 3.27 3.75 比重（克/毫升） 1.275 1.353 1.402 1.450 波美度（。B`e） 31.5 38 42 45 表 8-1三氯化铁蚀刻剂的组成（20℃）
8.2.2蚀刻机理 1)Fec3+Cu→Fe2+CuC 2)FeCl3+CuCl-FeCl2+CuCl 3)cuc2+Cu→2CuCl www.themegallery.com
www.themegallery.com ❖8.2.2蚀刻机理 1) FeCl3＋Cu→FeCl2+CuCl 2) FeCl3＋CuCl→FeCl2＋CuCl 3) CuCl2＋Cu→2CuCl