3.LV特性曲线及大信号特性方程 (1)输出特性及大信号特性方程 ③饱和区 预夹断临界点轨迹 ip/mA UpS=UGS-VTN(E UGD=UGS-UpS=VIN) (恒流区又称放大区) 可变电阻区 (非饱和区 GS VTN I 且 DS ≥(v GS 饱和区 FV特性:N) 15 2.5V K n(gs 2V KV GS 0.5 UGS=1.5V 截止区 GS 2.55 7.510 ups/ DO IN 必须让FET工作在饱和区 1m=kkN是oas=2khN时的(放大区)才有放大作用
③ 饱和区 （恒流区又称放大区） vGS >VTN ，且vDS≥（vGS－ VTN） 2 D n G S TN i = K (v −V ) 2 TN 2 G S n TN = ( −1) V K V v 2 TN G S DO = ( −1) V I v 2 DO Kn VTN I = 是vGS＝2VTN时的iD I-V 特性： （1）输出特性及大信号特性方程 iD/mA 2 1.5 1 0.5 0 2.5 5 7.5 10 vDS/V 可变电阻区 (非饱和区) 预夹断临界点轨迹 vDS＝vGS－VTN(或 vGD＝vGS－vDS＝VTN) 3V 2.5V 2V vGS＝1.5V 饱和区 截止区 必须让FET工作在饱和区 （放大区）才有放大作用。 3. I-V 特性曲线及大信号特性方程
3.LV特性曲线及大信号特性方程 (2)转移特性 预夹断临界点轨迹 VnN(或vcp=vs-bs=VN) iD=f(ugs) ns =const 可变电阻区|A 3V 21(非饱和区不!和区 GS 15 D DO B 2.5 ip/mA C 2V 0.5 ID UGS =1.5V 截止区 15 B 2.557510 U 在饱和区,i受vcs控制 0.5 为什么不谈输入特性? D 0.511.522.5 GS
iD/mA 2 1.5 1 0.5 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 vGS/V A B C D VTN vDC＝5V （2）转移特性 D G S DS const. ( ) = v v = i f 2 TN G S D DO = ( −1) V i I v # 为什么不谈输入特性？ iD/mA 2 1.5 1 0.5 0 2.5 5 7.5 10 vDS/V 可变电阻区 (非饱和区) 预夹断临界点轨迹 vDS＝vGS－VTN(或 vGD＝vGS－vDS＝VTN) 3V 2.5V 2V vGS＝1.5V 饱和区 截止区 A B C D 在饱和区，iD受vGS控制 3. I-V 特性曲线及大信号特性方程
412N沟道耗尽型 MOSFET 1.结构和工作原理 二氧化硅绝缘层中摻有大量的正离子,已存在导电沟道 可以在正或负的栅源电压下工作,而且基本上无栅流 g°掺杂后具有正♀d 离子的绝缘层 氧化硅 衬底 耗尽层N型沟道 B衬底引线
4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 1. 结构和工作原理 ＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋ s g d 二氧化硅 掺杂后具有正 离子的绝缘层 N ＋ N ＋ 耗尽层 N 型沟道 P B 衬底引线 d g s B 衬底 二氧化硅绝缘层中掺有大量的正离子，已存在导电沟道 可以在正或负的栅源电压下工作，而且基本上无栅流
412N沟道耗尽型 MOSFET 2.LV特性曲线及大信号特性方程 GS) GS DSS D 1)2(N沟道增强型) UDS=UGSVPN lp/mA 电阻区十饱和区 (非饱和区 2V DSS -2V 4V 截止区 3691215UsV
4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET －6 iD/mA 8 6 4 2 －4 －2 0 2 4 vGS/V IDSS VPN iD/mA 8 6 4 2 0 3 6 9 12 vDS/V 截止区 vDS＝vGS－VPN 4V 2V vGS＝0V －2V －4V 15 可变 电阻区 饱和区 (非饱和区) 2 PN G S D DSS (1 ) V i I v − 2 TN G S D DO = ( −1) V i I v （N沟道增强型） IDSS 2. I-V 特性曲线及大信号特性方程
4.1.3P沟道 MOSFET d °B B 衬底是什么类型的半导体材料? #哪个符号是增强型的? #在增强型的P沟道 MOSFET中,s应加什么极性的电压才 能工作在饱和区(线性放大区)?
4.1.3 P沟道MOSFET d g s B d g s B # 衬底是什么类型的半导体材料？ # 哪个符号是增强型的？ # 在增强型的P沟道MOSFET 中，vGS应加什么极性的电压才 能工作在饱和区（线性放大区）？