4.14沟道长度调制等几种效应 4.击穿效应 (1)漏衬击穿 d 外加的漏源电压过高,将 导致漏极到衬底的PN结击穿。 (2)栅极击穿 耗尽层 若绝缘层厚度=50纳米时 B衬底引线 只要约30V的栅极电压就可将 通常在MOS管的栅源间接 绝缘层击穿,若取安全系数为 入双向稳压管,限制栅极电压 3,则最大栅极安全电压只有 以保护器件。 10V
4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4. 击穿效应 （1）漏衬击穿 外加的漏源电压过高，将 导致漏极到衬底的PN结击穿。 若绝缘层厚度tox= 50 纳米时， 只要约30V的栅极电压就可将 绝缘层击穿，若取安全系数为 3，则最大栅极安全电压只有 10V。 s g d B 衬底引线 N ＋ N ＋ VGG 耗尽层 P VDD （2）栅极击穿 通常在MOS管的栅源间接 入双向稳压管，限制栅极电压 以保护器件
41.5 MOSFET的主要参数 、直流参数 1开启电压V g (增强型参数) 2夹断电压v B (耗尽型参数) DD
4.1.5 MOSFET的主要参数 一、直流参数 1. 开启电压VT （增强型参数） 2. 夹断电压VP （耗尽型参数） ＋ VDD iD T B d s VGG A － g V － ＋ VTN VDD ＋ iD T B d s VGG A － g V － ＋ VPN
41.5 MOSFET的主要参数 、直流参数 3饱和漏电流ls(耗尽型参数) DSS B DD 4直流输入电阻Res(1099~1059)
4.1.5 MOSFET的主要参数 一、直流参数 3. 饱和漏电流IDSS （耗尽型参数） 4. 直流输入电阻RGS （109Ω～1015Ω ） VDD iD T B d s mA g IDSS
41.5 MOSFET的主要参数 、交流参数 00 1.输出电阻 对于增强型№Mos管i=Kn(ocs-V)2(1+1uns) 有m=Kn( s-V)22 所以=[ZKn(os-Vn)2 i 当不考虑沟道调制效应时,A=0,rs→ 实际中,般在几十干欧到几百干欧之间
4.1.5 MOSFET的主要参数 所以 1. 输出电阻rds D GS DS ds i V r = v D A D 2 1 ds n G S TN 1 [ ( ) ] i V λi r = λK −V = − v 当不考虑沟道调制效应时，＝0，rds→∞ 实际中，rds一般在几十千欧到几百千欧之间。 二、交流参数 ( ) (1 ) DS 2 对于增强型NMOS管 i D = Kn vG S −VTN + v 1 ( ) 2 n G S TN D DS − − = K V i v 有 v
41.5 MOSFET的主要参数 、交流参数 2低频互导gm GS NMoS增强iD=Kn(cs-Vn)2 2 则 aK(U GS =2K UGS -VIN) GS L UGS 又因为i=K1(c-V=s-N)=NK 所以gm=2K1(os-V)=2√Knn c w 其中K=pno 2 L
4.1.5 MOSFET的主要参数 G S DS D m V i g v 2. 低频互导g = m 二、交流参数 2 D n G S TN i = K (v −V ) 则 DS G S DS 2 n G S TN G S D m [ ( ) ] V V i K V g v v v − = = 2 ( ) = Kn vG S −VTN 2 n D = K i L W K = 2 n Cox 其中 n 又因为 2 D n G S TN i = K (v −V ) n D G S TN ( ) K i v −V = 所以 2 ( ) gm = Kn vG S −VTN NMOS增强 型