4场效应三极管及放大电路 4.1金属氧化物-半导体(M0sS)场效应三极管 4.2M0SFET基本共源极放大电路 4.3图解分析法 4.4小信号模型分析法 4.5共漏极和共栅极放大电路 4.6集成电路单级 MOSFET放大电路 4.7多级放大电路 4.8结型场效应管(JFET)及其放大电路 *4.9砷化镓金属-半导体场效应管 4.10各种FET的特性及使用注意事项
4 场效应三极管及放大电路 4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项
场效应管的分类: N沟道 增强型 MOSFET P沟道 (GFET FET 绝缘栅型 耗尽型N沟道 场效应管 P沟道 JFET「N沟道 结型 (耗尽型) P沟道 耗尽型:场效应管没有加偏置电压时,就有导电沟道存在 增强型:场效应管没有加偏置电压时,没有导电沟道
场效应管的分类： P沟道 耗尽型 P沟道 P沟道 N沟道 增强型 N沟道 N沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道
41金属氧化物半导体(MoS) 场效应三极管 4.1.1N沟道增强型 MOSFET 412N沟道耗尽型 MOSFET 41.3P沟道 MOSFET 4.14沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数
4.1 金属-氧化物-半导体（MOS） 场效应三极管 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数
4.1.1N沟道增强型 MOSFET 1.结构 L:沟道长度W:沟道宽度t:绝缘层厚度 通常W>L 绝缘体 沟道栅极g二氧化硅绝缘层 (SiO,) 铝电极 (AD P型衬底 源极s 漏极d W
4.1.1 N沟道增强型MOSFET 1. 结构 L ：沟道长度 W ：沟道宽度 tox ：绝缘层厚度 通常 W > L 绝缘体 沟道 栅极 g 铝电极 （Al） 二氧化硅绝缘层 （SiO2） 源极 s 漏极 d L W N ＋ N ＋ P 型衬底 tox
4.1.1N沟道增强型 MOSFET 1.结构 源极s 栅极g 漏极d 铝、sO2绝缘层 铝 铝 衬底 N B 耗尽层P型硅衬底 B衬底引线 剖面图 符号
4.1.1 N沟道增强型MOSFET 剖面图 d g s B 衬底 符号 铝 源极 s SiO2绝缘层 栅极 g 漏极 d 铝 铝 耗尽层 P 型硅衬底 B 衬底引线 N ＋ N ＋ 1. 结构