13-2-1硼族元素概述 0 ⅢAⅣAVAⅥAⅦAHe氦 2B硼C碳N氮O氧F氟Ne氖 3A铝Si硅P磷S硫Cl氯Ar氩 4Ga镓Ge锗As砷Se硒Br溴Kr氪 5in铟Sn锡$b锑Te碲Ⅰ碘Xe氙 6T铊Pb铅Bi铋[P。钋At砹Rn氡 有时称为士族元素,其中AO为黏士的主 要成分,既难溶又难熔
12-2-1 硼族元素概述 13-2-1 硼族元素概述 0 ⅢA ⅣA ⅤA ⅥA ⅦA He 氦 2 B 硼 C 碳 N 氮 O 氧 F 氟 Ne 氖 3 Al 铝 Si 硅 P 磷 S 硫 Cl 氯 Ar 氩 4 Ga 镓 Ge 锗 As 砷 Se 硒 Br 溴 Kr 氪 5 In 铟 Sn 锡 Sb 锑 Te 碲 I 碘 Xe 氙 6 Tl 铊 Pb 铅 Bi 铋 Po At 砹Rn 氡 有时称为土族元素，其中Al2O3为黏土的主 要成分，既难溶又难熔
ⅣA硼(B)铝AD镓Ga)铟n)铊(T 匹圣皮米 498 、n一 是 主要解莫化合物均有毒 小左生 钾厂误食少量盐可使毛发脆 具 广泛用 可用于自动灭火装置 1铝合金质轻又硬,用于飞机制造。589 电负性(xp)2.0151.61.7|18
电负性( ) 1.81.71.61.52.0 I1/(kJ·mol 589558579578801 -1 ) 88.680625027 离子半径 r(M3+ )/pm 原子半径/pm 17016312214388 0 、+1 (+3) 0 、+1 +3 0 、+1 +3 0 、+3 0 、+3 主要氧化数 6s 26p 1 5s 25p 1 4s 24p 1 3s 23p 1 2s 22p 价层电子构型 1 原子序数 5 81493113 Ⅳ A 硼(B) 铝(Al) 镓(Ga) 铟(In) 铊(Tl) χ p 自然界没有游离硼， 主要矿有: 硼砂矿(Na 2 B 4 O 7·10H 2O) 、 硼镁矿(Mg 2 B 2 O 5·H 2O) 、 方硼矿(2Mg 3 B 8 O15·MgCl 2 ) 。 自然界没有游离硼， 主要矿有: 硼砂矿(Na 2 B 4 O 7·10H 2O) 、 硼镁矿(Mg 2 B 2 O 5·H 2O) 、 方硼矿(2Mg 3 B 8 O15·MgCl 2 ) 。 是地壳中蕴藏最丰富的金属元素 主要以铝矾土矿(Al 2 O 3·xH 2O)存在 铝是银白色、有光泽的轻金属 具有良好的导电性和延展性 广泛用来作导线、结构材料和器皿 铝合金质轻又硬，用于飞机制造 。 是地壳中蕴藏最丰富的金属元素 主要以铝矾土矿(Al 2 O 3·xH 2O)存在 铝是银白色、有光泽的轻金属 具有良好的导电性和延展性 广泛用来作导线、结构材料和器皿 铝合金质轻又硬，用于飞机制造 。 熔点比人的体温还低 (30℃左右 ) 液态镓的熔点、沸点相差大， 可作高温温度计， 与其它金属可制低熔合金。 熔点比人的体温还低 (30℃左右 ) 液态镓的熔点、沸点相差大， 可作高温温度计， 与其它金属可制低熔合金。 在自然界没有独立的矿物，分散在 其它矿物中, 都是软金属, 可用于生 产新型半导体材料 。 与其它金属可制低熔合金 如含25%In 的Ga合金 可用于自动灭火装置 与其它金属可制低熔合金 与其它金属可制低熔合金 如含25%In 的Ga合金 可用于自动灭火装置 可用于自动灭火装置 Tl及其化合物均有毒 误食少量铊盐可使毛发脱落 Tl及其化合物均有毒 误食少量铊盐可使毛发脱落
ⅣA硼(B)铝AD镓Ga)铟n)铊(T 原子序数513314981 价层电子构型2s2p13s3p4s24p15s25p16s26p 价电子数价层电子轨道数为缺电子原子,可 3 形成缺电子化合物 ■ 厂■■■1 原子缺电子原子缺电子原子 价电子数 价层电子轨道数 ∧ 可形成配位键 特点 有空轨道N,(如HBFD 举例 B、ALd多中心键(如BHl
电负性( ) 1.81.71.61.52.0 I1/(kJ·mol 589558579578801 -1 ) 88.680625027 离子半径 r(M3+ )/pm 原子半径/pm 17016312214388 0 、+1 (+3) 0 、+1 +3 0 、+1 +3 0 、+3 0 、+3 主要氧化数 6s 26p 1 5s 25p 1 4s 24p 1 3s 23p 1 2s 22p 价层电子构型 1 原子序数 5 81493113 Ⅳ A 硼(B) 铝(Al) 镓(Ga) 铟(In) 铊(Tl) χ p 价电子数价层电子轨道数 3 4 为缺电子原子，可 形成缺电子化合物 举 例 B、Al C、Si、H N、O、X 特 点 有空轨道 有孤对电子 ∨ 多电子原子 价层 价电子数 电子轨道数 ∧ ‖ 原 子 缺电子原子等电子原子 缺电子原子 可形成配位键 (如H[BF 4 ] ) 多中心键(如B 2 H 6 ) 缺电子原子 可形成配位键 ( 如H[BF 4 ] ) 多中心键 ( 如 B 2 H 6 )
ⅣA硼(B)铝AD镓Ga)铟n)铊(T □原子序数513314981 价层电子构型2s2p13s3p4s24p15s25p16s26p 主要氧化数 0、+310、+30、+10、+10、+1 +3 +3(+3 原子半径/pm氧化数+3化合物稳定性降低 离子半径氧化数+1化合物稳定性增加 r(Mt)/pm 1(kmot)即惰性电子对效应明显 电负性(x)2.01.5161718
电负性( ) 1.81.71.61.52.0 I1/(kJ·mol 589558579578801 -1 ) 88.680625027 离子半径 r(M3+ )/pm 原子半径/pm 17016312214388 0 、+1 (+3) 0 、+1 +3 0 、+1 +3 0 、+3 0 、+3 主要氧化数 6s 26p 1 5s 25p 1 4s 24p 1 3s 23p 1 2s 22p 价层电子构型 1 原子序数 5 81493113 Ⅳ A 硼(B) 铝(Al) 镓(Ga) 铟(In) 铊(Tl) χ p 氧化数+3化合物稳定性降低 氧化数+1化合物稳定性增加 即惰性电子对效应明显 惰性电子对效应明显
缺电子元素:价电子数<价层轨道数 缺电子化合物:成键电子对数<价层轨道数 例如:BF3,H3BO3(HBF4不是缺电子化合 物)。缺电子化合物特点: a.易形成配位化合物HBF4 HF→BF3 b.易形成双聚物Al2Cl Cl Cl al C
缺电子元素：价电子数 <价层轨道数 缺电子化合物：成键电子对数 <价层轨道数 例如：BF 3 ， H 3BO 3 (HBF 4不是缺电子化合 物 ) 。缺电子化合物特点： Cl Cl Al Cl Cl Cl Cl Al b. 易形成双聚物Al 2Cl 6 HF BF 3 a. 易形成配位化合物HBF 4