2.惰性电子对效应 p区金属元素,Ga、In、Tl;Ge、Sn、Pb;As、 Sb、Bi等中的ns2电子逐渐难以成键,而6s2又更甚。这 被称为惰性电子对效应。 ▲有人认为,在这些族中,随原子半径增大,价轨 道伸展范围增大,使轨道重叠减小 ▲又认为,键合的原子的内层电子增加(4d、4f.), 斥力增加,使平均键能降低。如, Gacl3 InCl3 TICl3 平均键能BE/ kJ. mol-1242206153 ▲也有人认为,是6s电子的钻穿效应大,平均能量 低,不易参与成键
▲也有人认为，是6s 电子的钻穿效应大, 平均能量 低, 不易参与成键。 2.惰性电子对效应 p 区金属元素，Ga、In、Tl；Ge、Sn、Pb；As、 Sb、Bi等中的ns2电子逐渐难以成键，而6s2又更甚。这 被称为惰性电子对效应。 ▲有人认为，在这些族中，随原子半径增大，价轨 道伸展范围增大，使轨道重叠减小。 ▲又认为，键合的原子的内层电子增加(4d、4f…), 斥力增加，使平均键能降低。如， GaCl3 InCl3 TlCl3 平均键能 B.E./kJ·mol－1 242 206 153
3.第二周期元素具有反常性(只有22p轨道) 形成配合物时,配位数最多不超过4 第二周期元素单键键能小于第三周期元 素单键键能(kJ/mol) E(NN)=159E(0O=142E(F-F)=141 E(P-P)=209E(SS)=264E(Cl-C)=199
3. 第二周期元素具有反常性 (只有2s,2p轨道) 形成配合物时，配位数最多不超过4； 第二周期元素单键键能小于第三周期元 素单键键能(kJ/mol-1) E(N-N)=159 E(O-O)=142 E(F-F)=141 E(P-P)=209 E(S-S)=264 E(Cl-Cl)=199
4.第四周期元素表现出异样性 例如:溴酸、高溴酸氧化性分别比其 他卤酸(HCO3,HO3)、高卤酸(HCO4, HIO)强 Ee(CIO3/Cl,)=1. 458V Ee(BrOx/Br,)=1.513V Ee(IO3/2)=1209V E(CIO4/C103)=1.226V Ee(BrOa/BrO3=1.763V Ee(HsIO6/103=1.60V
4.第四周期元素表现出异样性 E V458.1)/ClClO( 23 = − V513.1)/BrBrO( 23 = − E V209.1)/IIO( 23 = − E V226.1)/ClOClO( 34 = −− E 例如：溴酸、高溴酸氧化性分别比其 他卤酸(HClO3 ，HIO3)、高卤酸(HClO4， H5IO6)强。 E V60.1)/IOIOH( 365 = − E V763.1)/BrOBrO( 34 = −−
5.多种氧化值 价电子构型:ns3mp 例如:氯的氧化值有+1,+3,+5, +7,-1,0等。 6.电负性大,形成共价化合物
价电子构型：ns2np1-5 例如：氯的氧化值有 +1，+3，+5， +7，-1，0等。 5. 多种氧化值 6. 电负性大，形成共价化合物
§13.2硼族元素 口132.1硼族元素概述 口132硼族元素的单质 □1323硼的化合物 ●13.24铝的化合物
§ 13.2 硼族元素 13.2.4 铝的化合物 13.2.3 硼的化合物 13.2.2 硼族元素的单质 13.2.1 硼族元素概述