第四章 二 三 第四节 场效应晶体管 绝缘栅场效应管 结型场数应管 场效应管的特点
场效应晶体管 场效应管的特点 结型场效应管 绝缘栅场效应管 第四章
第国骨扬级爱晶林暗 第四节 场效应晶体管简称场效应管，用FET来表示 (Field Effect Transistor) 绝缘栅场效应管 方柔 结型场效应管
绝缘栅场效应管 结型场效应管 第四节 场效应晶体管简称场效应管，用FET来表示 （Field Effect Transistor）
一、绝缘栅场效应管 第四节 绝缘栅场效应管是一种金属一氧化物一半导体场效 应管，简称MOS管。 增强型MOS管N沟道 P沟道 MOS 按作 分 耗尽型MOS管N沟道 P沟道
一、绝缘栅场效应管 绝缘栅场效应管是一种金属—氧化物—半导体场效 应管，简称MOS管。 MOS 管按 工作 方式 分类 增强型MOS管 耗尽型MOS管 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 第四节
(一)N沟道增强型MOS管的结构和工作原理 第四节 1结构 d N沟道 g S02绝 缘层 g 箭头方向是区别N 沟道与P沟道的标志 N型区 d P衬底 b b go S-源极 d-漏极g-栅极 S P沟道 b-衬底引线 号
（一）N沟道增强型MOS管的结构和工作原理 N N b-衬底引线 s g d P衬底 b SiO2绝 缘层 S-源极 d-漏极 g-栅极 N型区 g g s s d d b b 箭头方向是区别N 沟道与P沟道的标志 第四节 N沟道 P沟道 铝
2.工作原理 第四节 绝缘栅场效应管是利用电场效应来改变导电通道的宽窄，从而 控制漏-源极间电流的大小。 (1)感生沟道的形成 栅极和源极之间加正向电压 过程色在电扬的作用下可以记P型衬底表面层中多数我流子空穴全部排斥 掉，形成空间电荷区。 当山Gs增加到某一临界电压(U)值时，吸引足够多的电子，在P型半导 体的表面附近感应出一个N型层，形成反型层一漏源之间的导电沟道。 ☆ 始形成反型层鹑ucs愁袍开启电压陆底山cs越高，电场越强，感 的电子越多，泻湖就越宽。 P型硅 空穴 + + cs是 ++ b t甘 b +++ 兼9iO8④子 反型层耗尽区
2.工作原理 （1）感生沟道的形成 在电场的作用下，可以把P型衬底表面层中多数载流子空穴全部排斥 掉，形成空间电荷区。 当uGS增加到某一临界电压(UT)值时，吸引足够多的电子，在P型半导 体的表面附近感应出一个N型层,形成反型层—漏源之间的导电沟道。 开始形成反型层的uGS称为开启电压(UT)。uGS越高，电场越强，感 应的电子越多，沟道就越宽。 uGS g b 自由电子 反型层 耗尽区 第四节 绝缘栅场效应管是利用电场效应来改变导电通道的宽窄，从而 控制漏-源极间电流的大小。 栅极和源极之间加正向电压 耗尽区 铝 SiO2 衬底 P型硅 g b uGS 受主离子 空穴