图7.2.12给出了E2PR0M存储单元在三种不同工 作状态下各个电极所加电压的情况。 +20V 20 20V +5V W W -3T 6 B (a) (b) (c) 图7-2-11E2PROM存储单元的工作状 态 (a)读出状态 (b)擦除（写1）状态 (c)写入（写0）状态 16
16 图7.2.12给出了E 2PROM存储单元在三种不同工 作状态下各个电极所加电压的情况。 （a）读出状态 （b）擦除（写1）状态 （c）写入（写0）状态 图7-2-11 E2 PROM存储单元的工作状 态
三、快闪存储器(Flash Memory) 采用与EPROM中的叠栅MOS管相似的结构， 同时保留了EEPROM用隧道效应擦除的快捷特性。 理论上属于ROM型存储器；功能上相当于RAM。 单片容量已达64WB,并正在开发256MB的 快闪存储器。可重写编程的次数已达100万次
17 三、快闪存储器（Flash Memory） 采用与EPROM中的叠栅MOS管相似的结构， 同时保留了EEPROM用隧道效应擦除的快捷特性。 理论上属于ROM型存储器；功能上相当于RAM。 单片容量已达64MB，并正在开发256MB的 快闪存储器。可重写编程的次数已达100万次