7.2.3可擦可编程ROM(EPROM) 最早出现的是用紫外线照射擦除的EPROM(UIta- Violet Erasable Programmable Read-Only Memory, 简称UVEPROM)。 电可擦除的可编程ROM(Electrically Erasable Programmable Rea-Only Memory,简称E2PROM)。 快闪存储器(FIash Memory)也是一种电擦除的 可编程ROM
11 7.2.3 可擦可编程ROM（EPROM） 最早出现的是用紫外线照射擦除的EPROM（UltaViolet Erasable Programmable Read-Only Memory， 简称UVEPROM）。 电可擦除的可编程ROM（Electrically Erasable Programmable Rea-Only Memory，简称E 2PROM）。 快闪存储器（Flash Memory）也是一种电擦除的 可编程ROM
EPROM UVEPROM) 浮置栅MOS管（简称FAMOS管）的栅极被 $0绝缘层隔离，呈浮置状态，故称浮置 栅。 当浮置栅带负电荷时，FAMOS管处于 导通状态，源极一漏极可看成短路，所存 信息是0。 若浮置栅上不带有电荷，则FAMOS管截 止，源极一漏极间可视为开路，所存信息 是1。 12
12 浮置栅MOS管（简称FAMOS管）的栅极被 SiO2绝缘层隔离，呈浮置状态，故称浮置 栅。 当浮置栅带负电荷时， FAMOS管处于 导通状态，源极－漏极可看成短路，所存 信息是0。 若浮置栅上不带有电荷，则FAMOS管截 止，源极－漏极间可视为开路，所存信息 是1。 一、EPROM（UVEPROM）
Q-VDD 字线 不带电 S。浮置栅 截止 存1 P+ 浮置栅MOS管 N型衬底 带负电 (a) (b) 导通 (a)浮置栅MOS管的结构 (b)EPROM存储单元 -存0 图7-2-6浮置栅EPR0M 13
图 13 7-2-6 浮置栅EPROM (a)浮置栅MOS管的结构 (b)EPROM存储单元 带负电 -导通 -存0 不带电 -截止 -存1
叠栅注入MOS管(Stacked-gate Injuction Metal-Oxide-. Semiconductor,简称SIMOS管) G SiO2 D A1 G As 行地址译码器 16×16 存储矩阵 G A 15 . 图7-2-7S1M0S管的结构和符号 A3 Bo A:- A 列地址译码器 Ao- 输出级神器 EN ≥1w 图7-2-8使用SIM0S管的256×1位EPR0M 14
14 叠栅注入MOS管（Stacked-gate Injuction Metal-OxideSemiconductor，简称SIMOS管） 图7-2-8 使用SIMOS管的256 1位EPROM 图7-2-7 SIMOS管的结构和符号
二、E2PROM 在E2PROM的存储单元中采用了一种叫做浮栅隧道氧化 层MOS管(Floating gate Tunnel Oxide,简称Flotox 管) W(字线) D 位 隧道区 B 图7-2-10F1otox管的结构和符号 图7-2-11E2PROM的存储单元 15
15 二、E 2PROM 在E 2PROM的存储单元中采用了一种叫做浮栅隧道氧化 层MOS管（Floating gate Tunnel Oxide，简称Flotox 管） 图7-2-11 E2 图7-2-10 Flotox管的结构和符号 PROM的存储单元