例1电路如图所示，设输入电压V=3V,V=0.V。 (1)若B=60,试判断三极管是否饱和，并求出I和%。 解：根据饱和条件>s。 9+ec(+12V) 实际值：1。=3-0.7 ≈0.023(mA) RC 100 10k2 临界值：1s= 'ce-12 ≈0.020(mA) R60×10 T 'Ig>IBs ∴.三极管饱和。 100k2 Vo Vec_12≈1.2(mA) 'o='cEs≈0.3V (2)将Rc改为6.8k2,重复以上计算。 各 I3实际值不变，30.023mA 12 ≈0.029(mA) BR。60×6.8 ·<I®s.三极管处在放大状态。 1c=B×1B=60×0.023≈1.4(mA) 'o='ce='cc-1c×R=12-1.4×6.8≈2.48(V)
)mA0.023( 1000.7-3 实际值：IB )mA0.020( 106012 C CC BS RV I 临界值： ∵IB ＞IBS ∴三极管饱和。 )mA1.2( 1012 CCC CSC RV II O VV CES V3.0 IB 实际值不变， IB 0.023mA )mA0.029( 6.86012 C CC BS RV I ∵IB ＜IBS ∴三极管处在放大状态。 C II B )mA1.4(0.02360 - )V2.48(6.81.4-12 O CE RIVVV CCCC +V － + + - 1 T 2 3 R Rb CC VI C （+12V） VO 10kΩ 100kΩ 图1.4.6 例1.4.1电路 例1 电路如图所示,设输入电压VI =3V, VBE =0.7V。 (1)若β＝60,试判断三极管是否饱和,并求出IC 和VO 。 解:根据饱和条件IB ＞IBS 。 (2)将RC改为6.8kΩ,重复以上计算
(3)将R改为6.8kQ,再将R,改为60k2,重复以上计算。 实际值：1。-3-07≈0.038mA) 9+cc(+12V) 60 临界值：Is≈0.029mA 10k2 B>s∴三极管饱和。 Rb + 100k2 Vo 2≈1.76(mA) o='cs≈0.3V Rc6 结论：Rb、Rc、B等参数都能决定 三极管是否饱和. 各 2、三极管工作状态的判断 (1)分析法：依据为三极管的工作条件及IB和Is的关系。 截止-IB=0,放大-0<1g<IS,饱和-B>Is。 (2)实测法：截止-VcE≈Vcc,饱和-VcE≈VcEs0
)mA0.038( 600.7-3 实际值：IB 临界值： IBS ≈0.029 mA ∵IB ＞IBS ∴三极管饱和。 )mA1.76( 6.8 12 CCC CS RV II C O VV CES V3.0 +V － + + - 1 T 2 3 R Rb CC VI C （+12V） VO 10kΩ 100kΩ 图1.4.6 例1.4.1电路 (3)将RC 改为6.8kΩ,再将Rb 改为60kΩ,重复以上计算。 结论:Rb 、RC 、β等参数都能决定 三极管是否饱和. 2、三极管工作状态的判断 (1)分析法:依据为三极管的工作条件及IB 和IBS 的关系。 截止－IB ＝0，放大－0<IB <IBS ，饱和－IB >IBS 。 (2)实测法:截止－VCE VCC，饱和－VCE VCES 0
2.三极管的动态特性 (1)延迟时间t:从正跳 (a 变的瞬间开始，到i上升到 0.1Ics所需的时间 (2)上升时间t:ic从0.1Is (b) 上升到0.9Is所需的时间。 CEO (3)存储时间tg:下跳变的 Ics 0.91cs 瞬间开始，到ic下降到0.91cs 0.1cs 所需的时间。 (4)下降时间ti从0.9Ics 下降到0.1Ics所需的时间
2．三极管的动态特性 (1)延迟时间 td : 从 vi 正跳 变的瞬间开始,到 iC 上升到 0.1 ICS 所需的时间 (2)上升时间 tr :iC 从0.1 ICS 上升到0.9 ICS 所需的时间。 (3)存储时间 ts :vi 下跳变的 瞬间开始,到 iC 下降到0.9 ICS 所需的时间。 (4)下降时间 tf :iC 从0.9 ICS 下降到0.1 ICS 所需的时间
3.2TTL逻辑门电路 TTL-Transistor -Transistor Logic MOSL-Metal-oxide-semiconductor Logic MOSL:CMOS NMOS CMOS-Complementary MOS NMOS一N沟道MOS HEF40106BP 922880T Hnn9418P4 GSH45 GD74LS00
3.2 TTL逻辑门电路 TTL－Transistor -Transistor Logic MOSL－Metal-oxide-semiconductor Logic MOSL: CMOS NMOS CMOS－Complementary MOS NMOS －N沟道MOS
一、 TTL与非门 输入级1中间级|输出级 1、电路组成 O+VCC R4 输入级： 130 由多发射极 T4 晶体管T1和 9+5V 基极电组R1 T2 I亚D2 B2 组成，它实 B 必 OY T5 (Uo) 现了输入变 R3 量A、B、C 的与运算
+VCC (Uo) D2 C Y R1 4K T1 R2 1.6K R4 130 T5 T4 T2 R3 1K A B 一、TTL与非门 1、电路组成 输入级： 由多发射极 晶体管T1和 基极电组R1 组成，它实 现了输入变 量A、B、C 的与运算。 A B C R 1 +5V B 1 B 2 输入级 中间级 输出级