S场效应管放大电路-FET Amplifiers 5.0 Introduction to FET 5.1 Metal Oxide Semiconductor FET 5.2 MOSFET Amplifiers 5.3 Junction FET *5.4砷化镓金属-半导体场效应管 5.5各种放大器件电路性能比较
5.3 Junction FET 5.1 Metal Oxide Semiconductor FET 5.2 MOSFET Amplifiers 5.5 各种放大器件电路性能比较 *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 -FET Amplifiers 5.0 Introduction to FET
5.0 Introduction to FET ◆BJT是一种电流控制元件(i→id)-CCCS, 多子和少子都参与导电，故称为双极型器件。 输入电阻较小：rbe=102~1042。 ◆场效应管(Field Effect Transistor简称FET) 是一种电压控制器件(ucs→iD)-VCCS，只有 一种载流子参与导电，故它是单极型器件.输入 电阻较大：109~10142。 ◆特点：易集成(LSIVLS),输入阻抗高
◆ BJT是一种电流控制元件 (iB →iC ) - CCCS, 多子和少子都参与导电，故称为双极型器件。 输入电阻较小:rbe =102～104。 ◆ 场效应管(Field Effect Transistor简称FET) 是一种电压控制器件(uGS → iD ) - VCCS , 只有 一种载流子参与导电, 故它是单极型器件. 输入 电阻较大:109～1014。 5.0 Introduction to FET ◆特点：易集成(LSI\VLSI)，输入阻抗高
◆FET的分类 1、按参与导电的载流子划分，有： 沟道器件-电子作为载流子 P沟道器件一空穴作为载流子 2、按结构来划分，有两大类。 (1)结型场效应管-JFET Junction type Field Effect Transister JFET (2)绝缘栅型场效应-IGFET Insulated Gate Field Effect Transister -IGFET 也称金属氧化物场效应MOSFET Metal Oxide Semiconductor FET-MOS FET
(1)结型场效应管－JFET Junction type Field Effect Transister －JFET (2)绝缘栅型场效应－IGFET Insulated Gate Field Effect Transister －IGFET 也称金属氧化物场效应MOSFET Metal Oxide Semiconductor FET– MOS FET N沟道器件－电子作为载流子 P沟道器件－空穴作为载流子 1、按参与导电的载流子划分，有： ◆ FET的分类 2、按结构来划分，有两大类
N沟道JFET-N-channel JFET JFET (耗尽型) P沟道JFET-P-channel JFET FET 增强型 N沟道 MOSFET MOSFET P沟道 (IGFET) N沟道 耗尽型 MOSFET P沟道 增强型-Enhancement-.mode 耗尽型-Depletion-mode)
N沟道 JFET - N-channel JFET P沟道 JFET - P-channel JFET 增强型 MOSFET 耗尽型 MOSFET N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET JFET MOSFET (IGFET) 增强型-Enhancement-mode 耗尽型-Depletion-mode)
5.3 JFET 5.3.1 Construction and Operation ◆Construction-结构 ◆Operation-工作原理 5.3.2 Characteristic curves and Parameters ◆Drain Characteristics-输出特性 ◆Transfer Characteristics-转移特性 ◆Main parameter-主要参数 5.3.3 Small-signal model analysis
5.3 JFET ◆ Construction - 结构 ◆ Operation - 工作原理 ◆ Drain Characteristics -输出特性 ◆ Transfer Characteristics-转移特性 ◆ Main parameter -主要参数 5.3.1 Construction and Operation 5.3.2 Characteristic curves and Parameters 5.3.3 Small-signal model analysis