采用正逻辑，数字 逻辑1 逻辑1 信号就成为右图所 示的逻辑信号。 逻辑0 逻辑0 逻辑0 数字信号的主要参数 Vm:信号幅度。 T:信号周期。 w:脉冲宽度。 t(ms) t w q:占空比。 占空比定义为：9(%)=×100%
采用正逻辑，数字 信号就成为右图所 示的逻辑信号。 逻辑0 逻辑1 逻辑0 逻辑1 逻辑0 V 0 t (ms) Vm t w T 数字信号的主要参数 Vm :信号幅度。 T :信号周期。 tW :脉冲宽度。 q :占空比。 (%) % 100 W T t 占空比定义为： q
3、集成逻辑门(Integerated logic circuit) ◆当代门电路（所有数字电路）均已集成化。 ◆按器件类型分 双极型集成逻辑门-TTL MOS集成逻辑门-NMOS S CMOS PMOS ◆按集成度分 Smal-scale integration-SSI(<l00个等效门) Medium-scale integration-MSI(<l03个等效门) Large-scale integration-LSI(<l04个等效门) Very Large-scale integration-VLSI◇l04个) ◆本章内容：基本逻辑门的基本结构、工作原理 以及外部特性
3、集成逻辑门(Integerated logic circuit) ◆当代门电路（所有数字电路）均已集成化。 双极型集成逻辑门-TTL MOS集成逻辑门-NMOS CMOS PMOS ◆按器件类型分 ◆按集成度分 Small-scale integration－SSI(<100个等效门) Medium-scale integration－MSI(<103个等效门) Large-scale integration －LSI(<104个等效门) Very Large-scale integration －VLSI(>104个) ◆本章内容:基本逻辑门的基本结构、工作原理 以及外部特性
3.1晶体管的开关特性 (Switching characteristics) 门电路中晶体管均工作在开关状态。 一、二极管(Diode)的开关特性 1.二极管的静态特性(Static characteristics) (1)加正向电压V时，二极管导通，管压降V,可 忽略。二极管相当于一个闭合的开关。 K (a) (b)
一、二极管(Diode)的开关特性 D VF IF (a) RL (1)加正向电压VF 时，二极管导通，管压降VD 可 忽略。二极管相当于一个闭合的开关。 1．二极管的静态特性(Static characteristics) F K VF L R I (b) 门电路中晶体管均工作在开关状态。 3.1 晶体管的开关特性 (Switching characteristics)
(2)加反向电压V.时，二极管截止，反向电流Is 可忽略。二极管相当于一个断开的开关。 (a) (b) 结论：二极管在电路中表现为一个受外加电压 控制的开关.当外加电压y为一脉冲信号时，二极 管将随着脉冲电压的变化在“开”态与“关”态之 间转换。该转换过程为二极管开关的动态特性
(2)加反向电压VR 时，二极管截止，反向电流IS 可忽略。二极管相当于一个断开的开关。 D VR IS RL (a) K RL VR (b) 结论：二极管在电路中表现为一个受外加电压vi 控制的开关.当外加电压vi为一脉冲信号时,二极 管将随着脉冲电压的变化在“开” 态与“关”态之 间转换。该转换过程为二极管开关的动态特性
2.二极管的动态特性(Dynamic characteristics) (b) (a) ◆y,为输入方波信号。D通 过的电流波形：理想情况 -图(c),实际情况-图(d) 0.1/R ◆t,-存储时间(storge time) 0 t-渡越时间(transition) tre=t,十t,-为反向恢复时间(reverse recover)
2．二极管的动态特性 (Dynamic characteristics ) ◆ v i为输入方波信号。D通 过的电流波形：理想情况 －图(c),实际情况－图(d) ◆ ts -存储时间 (storge time ) tt -渡越时间 (transition ) tre ＝ ts 十 tt -为反向恢复时间 (reverse recover ) + － D vi R L i (a) 产生反向恢复过程的 原因：反向恢复时间 tre 就是存储电荷消散 所需要的时间