第3章.配位场理论和配合物的电子光谱 一.d轨道在配位场中的能级分裂（电子光谱的 基础和来源) 二.过渡金属配合物的电子光谱，△大小的表征 一 电子光谱（吸收光谱，紫外可见光谱）， T一S图 三.电荷迁移光谱(charge transfer,CT光谱)
第3章. 配位场理论和配合物的电子光谱 一.d 轨道在配位场中的能级分裂（电子光谱的 基础和来源） 二.过渡金属配合物的电子光谱，O大小的表征 ―电子光谱（吸收光谱，紫外可见光谱）， T―S图 三.电荷迁移光谱（charge transfer,CT光谱）
一.d轨道在配位场中的能级分裂 影响分裂能的因素： 10Dg=f千igand8ion 1.配位场的强度，配体，光谱化学系列 I-<Br-<S2<SCN-<CI<NO3<F-<OH ox2-<H,0 NCS-<CH2CN<NH3 <en dipy phen NO2<PR3<CN-<CO 2.金属离子Mnt,n越大，分裂能越大
一 .d 轨道在配位场中的能级分裂 影响分裂能的因素： 10Dq＝fligand g ion 1.配位场的强度,配体,光谱化学系列 I − Br− S 2− SCN− Cl− NO3 − F − OH− ox2− H2 O NCS− CH3 CN NH3 en dipy phen NO2 − PR3 CN− CO 2.金属离子M n+,n越大,分裂能越大
3.周期数越高，分裂能越大，Pt2+,Ni2+ 4.不同的配位场中： 平面四方>八面体>四面体> PtCl D4h) NiCl2 (Td) Ni (CN)2-(D4h) (6周期) (4周期) C1(弱) CN(强)
3.周期数越高,分裂能越大, Pt2+, Ni2+ 4.不同的配位场中: 平面四方八面体四面体 PtCl4 2– ( D4h) NiCl4 2– (Td) Ni(CN)4 2–(D4h) (6周期) (4周期) Cl (弱) CN–(强)
eg 十+eg 6Dq t2g 4Dq t2g d5,High spin(弱场) 八面体场△=10Dg eg 三t2 4Dq 6Dq =e t20 四面体场△三4/9△0 d5,low spin(强场
6Dq 4Dq eg t2ge t2 6Dq 4Dq 八面体场 O=10Dq 四面体场 T= 4/9 O d 5 , High spin(弱场) t2g eg eg t2g d 5 , low spin(强场)
dx2y2 big 01 - dz2 dx2-y2 g eg (2g d22 a1g 6Dq 4Dq dxy b2g d22 dx2. a1g eg ea dyz dxz eg 立方体场 四面体场 球形场 八面体场四方畸变平面四方场 On Ta Dah D4
立方体场 四面体场 球形场 八面体场 四方畸变 平面四方场 Oh Td Oh D4h D4h