第六章电躐散射 第6章电磁散射 散射矩阵与散射截面 理想导电圆柱对平面波的散射 ■理想导电圆柱对柱面波的散射 理想导电球对平面波的散射 理想导电球对球面波的散射 分层媒质上的电偶极子 高等电躐理论 大扩
第六章 电磁散射 高等电磁场理论 第 6 章 电磁散射 分层媒质上的电偶极子 理想导电圆柱对平面波的散射 理想导电圆柱对柱面波的散射 理想导电球对平面波的散射 理想导电球对球面波的散射 散射矩阵与散射截面
第六章电躐散射 散射体 e=Eoe e?=(eEl+ei,,Er e ke,' H=e×E/Z es==e f(eel+ e(eel 浪源 r1y e[F1(es)en1·E0+F2(e)ln2·E 观察点 -e ifleseu+ F(es2] Eo =-e kr s (es le; ).EC S(1)=F1(,)an+F2(e)e2-散射矩阵 F=×Es/ 高等电躐理论 大扩
第六章 电磁散射 高等电磁场理论 散射体 波源 观察点 i e s e i i i i i i 0 1 1 2 2 e ( )e jke r jke r E E e E e E u u − − = = + i i i 0 H e E Z = / s i i 1 s 1 2 s 2 1 e [ ( ) ( ) ] jkr E F e E F e E r − = + i i 1 s 1 0 2 s 2 0 1 e [ ( ) ( ) ] jkr F e e E F e e E u u r − = + i 1 s 1 2 s 2 0 1 e [ ( ) ( ) ] jkr F e e F e e E u u r − = + i s i 0 1 e ( ) jkrS e e E r − = s i 1 s 1 2 s 2 ( ) ( ) ( ) S e e F e e F e e = + u u s s s 0 H e E Z = / ——散射矩阵
第六章电躐散射 2.散射截面 E 0=lm 4 7th 4兀 12 E 远场:a=lim4x2(m2) S=E/Z SS=Es/Z 0 后向散射a=4兀 雷达散射截面(RCS) o=10logo dBsm 高等电躐理论 大扩
第六章 电磁散射 高等电磁场理论 2 i i 0 0 S E Z = / 2. 散射截面 2 s s 0 S E Z = / 2 s 2 2 i 0 lim 4π r E r E → = =10log dBsm 2 i s i 0 2 i 0 ( ) 4π S e e E E = 后向散射 2 i i i 0 2 i 0 ( ) 4π S e e E E − = ——雷达散射截面（RCS） s 2 2 i lim 4π (m ) r S r S → 远场： =
第六章电散射 §6.2散射的三个特征区域 ◆低频区k≤1 波长远大于目标尺寸,入射场在散射体上没有明显变 化,散射场依赖于感应电荷密度,类似静场问题,称 为瑞利散射。采用静态场分析方法严格求解。 ◆谐振区1<k≤20 波长与目标尺寸同数量级,入射场相位沿散射体形状 显著变化。基于 Stratton-Chu方程,采用数值方法, 离散化散射体,把散射问题转化为矩阵问题求解。 高频区k>20 波长远小于目标尺寸,散射场类似于光学反射,基于 局部性原理,将目标散射等效为多个散射中心的线性 叠加。 高等电躐理论 大扩
第六章 电磁散射 高等电磁场理论 ◆ 低频区 • 波长远大于目标尺寸，入射场在散射体上没有明显变 化，散射场依赖于感应电荷密度，类似静场问题，称 为瑞利散射。采用静态场分析方法严格求解。 ◆ 谐振区 • 波长与目标尺寸同数量级，入射场相位沿散射体形状 显著变化。基于Stratton-Chu方程，采用数值方法， 离散化散射体，把散射问题转化为矩阵问题求解。 ◆ 高频区 • 波长远小于目标尺寸，散射场类似于光学反射，基于 局部性原理，将目标散射等效为多个散射中心的线性 叠加。 §6.2 散射的三个特征区域 ka 1 1 20 ka ka 20
第六章电躐散射 典型球体在不同特征区城的散射特性 谐振区 光学区 瑞利区 102 10 金属球雷达散射截面随频率变化的三个散射区域 高等电躐理论 大扩
第六章 电磁散射 高等电磁场理论 典型球体在不同特征区域的散射特性 金属球雷达散射截面随频率变化的三个散射区域