桂林电子科技大学：《信号与系统》课程教学课件（PPT讲稿）冲激信号尺度变换的证明

第一章绪论 1.1信号的描述与分类 我们把欲待传输的语言、文字、图象、数码等统称为(消息)。 ①定义:信号是的随时间变化的物理量(电量)。其图像称为信号的波形。 可见,信号是信息的表现形式,它是运载信息的工具

1列出下图所示电路的状态方程。 解:选取两个独立电感中的电流及电参尺mAH 的电压为状态变量入2入3

一、二进制、二进制与十进制的相互转换 二、逻辑代数的公式与定理、逻辑函数化简 三、基本逻辑门电路的逻辑功能

高水平的工艺良品率是生产性能可靠的芯 片并获得收益的关键所在。本章将简单介绍影 响良品率的主要工艺及材料要素,并对良品率 测量点做出阐述。 维持及提高良品率对半导体工业至关重要 ,因为半导体制造工艺的复杂性,以及生产一 个完整封装器件所需要经历的庞大工艺制程, 是导致这种对良品率超乎寻常关注的基本原因 。这两方面的原因使得通常只有20%至80%的芯 片能够完成生产线全过程,成为成品出货

半导体材料 目前用于制造半导体器件的材料有: 元素半导体(sie) 化合物半导体(GaAs InSb) ·本征半导体:不含任何杂质的纯净半导体, 其纯度在999%(8~10个9)。 ·掺杂半导体:半导体材料对杂质的敏感性非常 强,例如在Si中掺入千万分之一的磷(P)或者 硼(B),就会使电阻率降低20万倍

光刻的目的和意义第四章已做过简单的描 述,这一章主要介绍基本光刻工艺中的表面准 备至曝光的工艺步骤及光刻胶的特性

微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展

在这一章中,将解释污染对器件工艺、器件 性能和器件可靠性的影响,以及芯片生产区域存 在的污染类型和主要的污染源。同时也简要介绍 洁净室规划、主要的污染控制方法和晶片表面的 清洗工艺等 5.2污染类型 微粒金属离子化学物质细菌 ·微粒器件对污染物的敏感度取决于特征图形的 尺寸和晶体表面沉积层的厚度。由于特征图形尺 寸越来越小,膜层厚度越来越薄,所允许存在的 微粒尺寸也必须控制在更小的尺度上

概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)