v(0+)=0,v(∞)=V T=RC v(t)=ν(∞)+[v(O+)-v(∞)k v,(tw)=v=vodl-eln) t=RCh、Vp DD 当V=VD2时,t≈0.7RC
当Vth = VDD /2时, tW ≈0.7RC t R R R R v t v v v e − ( ) = () + (0+) − () RC v R v R V DD = + = = (0 ) 0, ( ) ( ) (1 ) t / RC R W t h DD W v t V V e − = = − DD t h DD W V V V t RC − = ln
(2)恢复时间te 即暂稳态结束后,电路恢复到初始状 态所需的时间。主要指电容在暂稳态 期间所充电荷的释放时间,t约为3倍 放电时间常数。 (3)最高工作频率′mnx 由于t和t的存在,加入触发信号的时 问间隔T应满足Ttw+t,即 mt+t(微分型单稳)
（2）恢复时间tre 即暂稳态结束后，电路恢复到初始状 态所需的时间。主要指电容在暂稳态 期间所充电荷的释放时间，tre约为3倍 放电时间常数。 （3）最高工作频率fmax fmax = tw +tre 1 （微分型单稳） 由于tW和tre的存在，加入触发信号的时 间间隔T应满足T> tW +tre ，即
3.讨论: (1)暂态结束瞬间,加在G2门 02 输入端的高压,可能损坏G2。为 了避免这种现象发生,cMoS器 件内部设有保护二极管。 G1≥1 (2)当输入咋的脉冲宽度tpi>tW R 时,则在v2变为低电平后,将不能 R 影响G的变化,也就形成不了前述v 正反馈过程,使V2输出边沿变缓。 DD 此时需在G1-输入端加一微分电路。 Von+0.7v (3)着采用TTL与非门构成单稳电路 G2输入端的电阻R应小于07K2
3. 讨论： G1 ≥1 1 G2 vI VDD C R vR vO1 vO2 vR 0 t Vth （1）暂态结束瞬间，加在G2门 输入端的高压，可能损坏G2。为 了避免这种现象发生，CMOS器 件内部设有保护二极管。 （2）当输入vI的脉冲宽度tpi >tW 时，则在V02变为低电平后，将不能 影响G1的变化，也就形成不了前述 正反馈过程，使V02输出边沿变缓。 此时需在G1输入端加一微分电路。 （3）若采用TTL与非门构成单稳电路， G2输入端的电阻R应小于0.7K。 VVthDD+ V+ 0.7v DD
积分型单稳态触发器 1工作原理 O1 02 Vol G11、C 当输入的触发信号V 发生正跳变后, vo应该产生负跳变。v
0 t vi vo1 vA vo2 0 t 0 t 0 t t1 当输入的触发信号 vi 发生正跳变后， 0 1 1 1 ? ? 1 0 0 vo1 应该产生负跳变。 1 二、 积分型单稳态触发器 1.工作原理 vO1 vO2 R C 1 ＆ vi vA G1 G2
Vol A1→0 +5V 电容C应该放电: A Vol R 只要ⅴ>Vm, 仍然有v 5 那么,Va2应该 由1变成0
vA 0 t 电容C应该放电: VTH 只要 vA > VTH ， 仍然有 VA ＝ 1， +5V R4 T4 T5 vo1 R A C + - 1 0 vo1 vo2 R C 1 ＆ vi vA 1 1 0 1 1 那么，vo2 应该 由 1 变成 0