+UDD 真值表: 2 D oF0|1|截止导通 DD DD 2 1|0导通截止 OV 0ⅴ逻辑式:F=A
0VUDD 真 值 表： A F T2 T 1 F +UDD SD A DS G T 1 T 2 1 0 导通 截止 0 1 截止 导通 1 A F 逻辑式：F= A UDD 0V
3)CMOS反相器的工作图解分析(考虑两种极限情况) DD 时 DD D SGP GSN DD 驱动管的特性曲线 D 工作点 SGP 0,负载特性曲线 GSN v O D V=0时 可见,两种极限 sGp=VD负载特性曲线情况下cMoS反 相器的静态功耗 驱动管的 特性曲线 工作点几乎为零。 VASA 0 O 优
3）CMOS反相器的工作图解分析（考虑两种极限情况） iD vO 0 vGSN=VDD vSGP=0 驱动管的特性曲线 工作点 负载特性曲线 VI=VDD时： iD VI=0 时： vO 0 vSGP=VDD vGSN=0 负载特性曲线 工作点 驱动管的 特性曲线 可见，两种极限 情况下CMOS反 相器的静态功耗 几乎为零。 优点 +UDD S D VI D S TP TN VO VSGP VGSN + + - - iD
电压传输特性和电流传输特性 0 当vⅤT时(AB段) A B DD T1=0n,T2=0ff→>vVDD; 当vN<VDvr时BC段) V T1=0n,T2=0n=>vo; GS(th)P GS(th)N 当vVDD-V时:CD段) D VDp vI Toff, T2=on=>vo=0 图3312CMOS反相 器的电压传输特性
图3.3.12 CMOS反相 器的电压传输特性 二、电压传输特性和电流传输特性 当vI<VTN时:(AB段) T1=on, T2=off =>vo=VDD; 当vTN<vI<VDD-vTN时(BC段) T1=on, T2=on =>vo↓; 当vI>VDD-VTN时:(CD段) T1=off, T2=on =>vo=0; +VDD S D VI D S T1 T2 vO
二、电压传输特性和电流传输特性 a B DD 转折区的变化率很大,更 接近于理想的开关特性。 DD cMoS反相器的输入端 GS(th)P GS(th)N 噪声容限较大 D DD DD 图3312CMOS反相器的电压传输特性
图3.3.12 CMOS反相器的电压传输特性 VTH VDD 2 1 = 转折区的变化率很大，更 接近于理想的开关特性。 CMOS反相器的输入端 噪声容限较大。 二、电压传输特性和电流传输特性
电流传输特性—漏极电流随 +V1 B输入电压而变化的曲线 DD G V GS(th)P STDDTs 2 GS(th)N A iB CI D DD UI DD 图33.13CMOs反相器的电流传输特性
图3.3.13 CMOS反相器的电流传输特性 +VDD S D vI D S G T1 T2 电流传输特性——漏极电流随 输入电压而变化的曲线. iD