esTc 设计中 FPGA的结构 d 1/0 Block 都非霉 非非非非排非非非 Programmable Interconnect 非非非非非非靠非 非L非非非 非非非非非 霏菲非非菲菲非非非非 中中中中中带 Logic Block
设计中心 FPGA的结构 I/O Block Logic Block Programmable Interconnect
esTc 设计中 FPGA分类 基于乘积项( Product--Term)技术, EEPROM(5,000以下)或Fash工艺的中小 规模FPGA 基于查找表( Look-Up table)技术,SRAM (10,000以上)工艺的大规模FPGA 基于反熔丝(Anti-fuse)技术的FPGA。OTP 希望进一步了解 PLDIEPGA结构与原理请参见教师社区
设计中心 FPGA分类 • 基于乘积项（Product-Term）技术， EEPROM (5,000门以下)或Flash工艺的中小 规模FPGA • 基于查找表（Look-Up table）技术，SRAM (10,000门以上)工艺的大规模FPGA。 • 基于反熔丝（Anti-fuse）技术的FPGA。OTP 希望进一步了解PLD/FPGA结构与原理请参见教师社区
esTc 设计中 FPGA的可编程互连线 ·FPGA的可编程互连线较多采用反熔丝的多路开关类型: 编程方式是一次性的反熔丝和采用多路开关实现逻辑, B Polysilicon Diffusion Field Oxide PLICE Dielectric
设计中心 FPGA的可编程互连线 • FPGA的可编程互连线较多采用反熔丝的多路开关类型： 编程方式是一次性的反熔丝和采用多路开关实现逻辑。 A B Field Oxide Diffusion Polysilicon PLICE Dielectric
esTc 设计中 反熔丝开关编程前后 ·未编程状态 Polysilicon Diffusion Field oxide PLICE Dielectric PLCE反熔丝是一个双端非丢失性一次可编程器件,在未编程状态, 通常呈现十分高的阻抗(>100MΩ),当18V的编程电压加在其上 时,建立一个双向的低电阻,即介质击穿,两层导电材料连在一起。 已编程状态 Polysilicon Diffusion Field Oxide PLICE Dielectric击穿
设计中心 反熔丝开关编程前后 Field Oxide Diffusion Polysilicon PLICE Dielectric Field Oxide Diffusion Polysilicon PLICE Dielectric 击穿 PLICE反熔丝是一个双端非丢失性一次可编程器件，在未编程状态， 通常呈现十分高的阻抗（>100MΩ），当18V的编程电压加在其上 时，建立一个双向的低电阻，即介质击穿，两层导电材料连在一起。 • 未编程状态 • 已编程状态
esTc 设计中 编程后的逻辑连接示例 AB+AB B
设计中心 编程后的逻辑连接示例 A B AB+AB