7.2.2可编程ROM 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同。 线 位线 *熔丝由易熔合金制成 *出厂时，每个结点上都，相当于存储单元都入了“1” *编程时将改写为“0的单元通以足够大的痴，使熔丝烧 是一次性编程，不能离
7.2.2 可编程ROM 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同。 ！！ 是一次性编程，不能改写 编程时将改写为“0”的单元通以足够大的电流，使熔丝烧断 出厂时，每个结点上都有，相当于存储单元都存入了“ 1” 熔丝由易熔合金制成
7.2.3可擦除的可编程ROM 由于存储单元采用不同的工艺，ROM的写入方式和擦除数 据的方式也不同。分为EPROM、E2PROM。 1、EPROM EPROM采用叠栅注入MOS管(SIMOS管)构成存储单元。 SIMOS管有两层相重叠栅极，上层是控制栅、下层是浮置栅。 在EPROM出厂时，片内所有存储单元的浮置栅均无电荷。 S SiO2
7.2.3 可擦除的可编程ROM 由于存储单元采用不同的工艺，ROM的写入方式和擦除数 据的方式也不同。分为EPROM、E 2PROM。 1、EPROM EPROM采用叠栅注入MOS管（SIMOS管）构成存储单元。 SIMOS管有两层相重叠栅极，上层是控制栅、下层是浮置栅。 在EPROM出厂时，片内所有存储单元的浮置栅均无电荷
用SIMOS管构成的存储单元： W 位线 B 字线 工作原理： 若G上未充负电荷，则处正常逻辑高电平下通， 表示该单元所存的信患“1”。 若G上充以负电荷，则处正常逻辑高电平下通
若 G 上充以负电荷，则 G处正常逻辑高电平下不导通。 表示该单元所存的信息为“ 1”。 若 G 上未充负电荷，则 G处正常逻辑高电平下导通 ， 工作原理： f c f c 用SIMOS管构成的存储单元：
G G D SiO D “写入”：在叠栅管物-S上同时加上较高电压5V), 漏源间形成导电沟道，沟道内电子获得动能， 在受到G。上所加正电压的电场阴引下， 部分电子穿Si0,到达G,形成注入电荷 “擦除”：紫外线穿速PROM芯片上的石英窗口 照射到叠栅上，使G周围的二氧化硅绝缘层产生 少量的空穴和电子对，形成导电通道，从而使如上 的电子回到衬底中。 注意：EPROM的擦写都必须是在专用的擦写器中完成
的电子回到衬底中。 少量的空穴和电子对，形成导电通道，从而使 上 照射到叠栅上，使 周围的二氧化硅绝缘层产 生 “擦除”：紫外线穿过 芯片上的石英窗口 部分电子穿过 到 达 形成注入电荷 在受到 上所加正电压的电场吸引下， 漏源间形成导电沟道，沟道内电子获得动能， “写入”：在叠栅管的 上同时加上较高电压（ ） ， f f 2 f c G G EPROM SiO G , G D − S 25V 注意：EPROM的擦写都必须是在专用的擦写器中完成
2.E2PROM 为克服紫外线擦除的PROM擦除慢，操作复杂的缺点 采用FLOTOX(浮栅隧道氧化层MOS管) D W,字线 D 位 T 隧道区 B G￡与漏区之间有小的隧茵，当电场强大到一程度时， 在漏区和G之间出现导电隧道，蟲可以双向通过形成递， 这种现象称为隧道效应
2. E2PROM FLOTOX( MOS ) EPROM 采 用 浮栅隧道氧化层 管 为克服紫外线擦除的 擦除慢，操作复杂的缺点 这种现象称为隧道效应。 在漏区和 G之间出现导电隧道，电子可以双向通过形成电流 ， G 与漏区之间有小的隧道区，当电场强大到一定程度时， f f