上一讲MOS管做负载的差分放大器 D Ma M 3 l4 out M SS N(ON‖OP 电压摆幅和增益都可以很大 北京大学微电子学系一陈中建一模拟集成电路原理与设
北京大学微电子学系－陈中建－模拟集成电路原理与设计 6 上一讲—— MOS管做负载的差分放大器 ( ) v mN ON OP A g r r 电压摆幅和增益都可以很大
上一讲共源共栅的差分放大器 M,M 7 M v2·Ms out out M3 M M. M n。m 3703701 5705707 增益更大;但适当牺牲摆幅;输出共模电平未确定 北京大学微电子学系一陈中建一模拟集成电路原理与设
北京大学微电子学系－陈中建－模拟集成电路原理与设计 7 上一讲——共源共栅的差分放大器 [( ) ( ) ] v m 1 m 3 O 3 O 1 m 5 O 5 O 7 A g g r r g r r 增益更大；但适当牺牲摆幅；输出共模电平未确定
上一讲 Gilbert单元 DD 口是差分放大器 的一种应用 R D D out o M M2口是一种GA 七M3M4中 令增益可从 A gnRD单调地 M: M 变为+gnR 5 6 cont 广泛用于模 SS 拟系统和通信 系统中 北京大学微电子学系一陈中建一模拟集成电路原理与设
北京大学微电子学系－陈中建－模拟集成电路原理与设计 8 上一讲——Gilbert单元 是差分放大器 的一种应用 是一种VGA 增益可从－ g m RD单调地 变为＋ g m RD 广泛用于模 拟系统和通信 系统中
放大器的偏置Ⅴb1等如何产生? DD M y3·M7 M v62·Ms vb1·非 out M,H 61·M 3 口偏置电压都通过压点外加? ☆压点太多,无法接受 北京大学微电子学系一陈中建一模拟集成电路原理与设
北京大学微电子学系－陈中建－模拟集成电路原理与设计 9 放大器的偏置 Vb1等如何产生？ 偏置电压都通过压点外加？ 压点太多，无法接受
实际AIC如何产生众多偏置电压/电流? 口通过电流镜 ou,来自带隙基准源电路OP2(OP3) :产生直流偏置 小信号传递 10 接N阱 Ref8 26 北京大学微电子学系一陈中建一模拟集成电路原理与设计
北京大学微电子学系－陈中建－模拟集成电路原理与设计 10 实际AIC如何产生众多偏置电压 /电流？ 通过电流镜 10 6 22 21 23 Ref8 22' 2 4 13 25 24 8 15 17 14 16 7 20 11 19 9 5 26 2.25V 1 18 3 12 2' OP2 (OP3) 接N 阱 10 A，来自带隙基准源电路 :产生直流偏置 :小信号传递