44场效应管放大电路 44.1FET的直流偏置及静态分析 ●直流偏置电路 ●静态工作点 44.2FET放大电路的小信号模型分析法 ●FET小信号模型 动态指标分析 ●三种基本放大电路的性能比较 HOME
• 直流偏置电路 • 静态工作点 • FET小信号模型 • 动态指标分析 • 三种基本放大电路的性能比较 4.4.1 FET的直流偏置及静态分析 4.4.2 FET放大电路的小信号模型分析法 4.4 场效应管放大电路
44.1FET的直流偏置电路及静态分析 场效应管偏置电路特点 ①栅极只需要偏压,不需要 偏流 ②注意各类FET的偏置极性区别: N沟道器件加正漏源偏压; P沟道器件加负漏源偏压; 耗尽型器件加反极性栅压; 增强型器件加同极性栅压; E ③采用偏置稳定电路 HOME BACK NEXT
场效应管偏置电路特点 4.4.1 FET的直流偏置电路及静态分析 ① 栅极只需要偏压，不需要 偏流 ② 注意各类FET的偏置极性区别： N沟道器件加正漏源偏压； P沟道器件加负漏源偏压； 耗尽型器件加反极性栅压； 增强型器件加同极性栅压； ③ 采用偏置稳定电路
4.4.1FET的直流偏置电路及静态分析 1.FET典型直流偏置电路 (1)自偏压电路 (2)分压式自偏压电路 R 18v Rd R b2 30k9 d 4.7μF T +001uF R GS R s Vi R g2 R 47k92K9 47μF GS R Von -IR R+R D D D HOME BACK NEXT
（1）自偏压电路 （2）分压式自偏压电路 vGS vGS = - iDR VGS = VG −VS DD g1 g2 g2 V R R R + = − I D R 1. FET典型直流偏置电路 4.4.1 FET的直流偏置电路及静态分析
4.4.1FET的直流偏置电路及静态分析 ID/mA 2.静态工作点图解十可电区击穿区 D/mA GS =0 DSS 恒流区 3 18V R d GS IDR 30K9 VDs= VDD-ID Rd+R) 4.7μF+ T +001uF 可解出Q点的vGs、L 1M叫2Kp47 R HOME BACK NEXT
VGS = VDS = VDD - ID (Rd + R ) - IDR 可解出Q点的VGS 、 ID 、 VDS VP 2. 静态工作点图解 4.4.1 FET的直流偏置电路及静态分析
4.4.1FET的直流偏置电路及静态分析 3.静态工作点计算 DD Q点:vs、Ib、V 18v R 已知V,由 30 KQ b? d R 4.7pF 1 g T Ds= VDD-ID Rd+R) +001uF R s GS\2 10 MQI R DSS 2K447μF 可解出Q点的vGs、L、Vs HOME BACK NEXT
Q点： VGS 、 ID 、 VDS VGS = GS 2 D DSS P (1 ) V I I V = − VDS = 已知VP ，由 VDD - ID (Rd + R ) - IDR 可解出Q点的VGS 、 ID 、 VDS 3. 静态工作点计算 4.4.1 FET的直流偏置电路及静态分析