22PN结的形成及特性 221PN结的形成一》 222PN结的单向导电性一》 22.3PN结的反向击穿一》 224PN结的电容效应一》 HOME
2.2.1 PN结的形成－》 2.2.2 PN结的单向导电性－》 2.2.3 PN结的反向击穿－》 2.2.4 PN结的电容效应－》 2.2 PN结的形成及特性
22.1PN结的形成 1.PN结的形成条件 两种导电类型的半导体共居于同一块半导体单 晶中,在交界面上形成FN结 工艺简介: 铝球 P型 (1)合金法 PN结 铝丝 烧结后智 N型硅片 N型 N结 图1-5-1合金法制造的PN结 HOME BACKNEX
2.2.1 PN结的形成 1. PN结的形成条件 两种导电类型的半导体共居于同一块半导体单 晶中，在交界面上形成PN结 工艺简介： （1）合金法
2.2.1PN结的形成 (2)电形成法 几 金丝(中=0.05mm) 含镓0.3~0.5% 脉冲 (3)平面扩散法 上美金锡锑合金 属支架 ≈10004 N外延层 ⊥(=0.8~19cm N衬底 N k=103Q,cm的硅片 ①衬底研磨抛光 ②外延N层 ③氧化 窗口 电极(铝 2 N 中90μ N N HOM ④光刻窗口 ⑤硼扩散、氧化一 ⑨光刻蒸铝焊电极Ex
2.2.1 PN结的形成 （2）电形成法 （3）平面扩散法
2.2.1PN结的形成 2.PN结的形成过程 1)两边的浓度差引起载流子的扩散运动 (2)复合形成内电场:阻挡扩散,促使漂移 (3)扩散和漂移动态平衡:Ⅳ结(空间电荷区、耗尽层、势垒区、 阻挡层) 388 +十十 十十十 c=c中十t中 P区 N区 HOME BACKNEX
（1）两边的浓度差引起载流子的扩散运动 （2）复合形成内电场：阻挡扩散，促使漂移 （3）扩散和漂移动态平衡：PN结（空间电荷区、耗尽层、势垒区、 阻挡层） 2. PN结的形成过程 2.2.1 PN结的形成
2.2.1PN结的形成 小7因浓度差→多子的扩散运动 由杂质离子形成空间电荷区 空间电荷区形成内电场 结 内电场促使少子漂移内电场阻止多子扩散 多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。 平衡PN结中扩散电流和漂移电流大小相等而方 向相反,所以外观PN结中没有电流。 HOME BACK NEXT
因浓度差→ 空间电荷区形成内电场 内电场促使少子漂移 内电场阻止多子扩散 多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。 平衡 PN 结中扩散电流和漂移电流大小相等而方 向相反，所以外观 PN 结中没有电流。 多子的扩散运动 由杂质离子形成空间电荷区 2.2.1 PN结的形成 小 结