41结型场效应管气 41.1JFET的结构和工作原理 ●结构 工作原理 4.1.2JFET的特性曲线及参数 ●输出特性 ●转移特性 ●主要参数 HOME
• 结构 • 工作原理 • 输出特性 • 转移特性 • 主要参数 4.1.1 JFET的结构和工作原理 4.1.2 JFET的特性曲线及参数 4.1 结型场效应管
41.1JFET的结构和工作原理 1.结构 N g HOME BACK NEXT
1. 结构 g d s g d s P N + P + 4.1.1 JFET的结构和工作原理
4.1.1JFET的结构和工作原理 名词与符号 漏极( Drain 源极( Souce 栅极(Grid用 用D或d表示 S或s表示 G或g表示 d N型导电沟道 符号 d N P沟道 P型区 山oME)#符号中的箭头方向表示什么? BACK NEXT
源极(Souce)用 S或s表示 N型导电沟道 漏极(Drain) 用D或d表示 P型区 栅极，用G或 g表示 栅极(Grid)用 G或g表示 符号 4.1.1 JFET的结构和工作原理 # 符号中的箭头方向表示什么？ 名词与符号
4.1.1JFET的结构和工作原理 2.工作原理 (以N沟道JFET为例) ③Vcs和Vs同时作用时 当v<Vs<0时,导电沟 道更容易夹断,对于同样 的vs,JD的值比ves=0时 的值要小 R 在预夹断处 GD DS HOME BACK NEXT
① VGS对沟道的控制作用 当VGS＜0时 （以N沟道JFET为例） 当沟道夹断时，对应 的栅源电压VGS称为夹断 电压VP （ 或VGS(off) ）。 对于N沟道的JFET，VP <0。 PN结反偏 耗尽层加厚 沟道变窄。 → → VGS继续减小，沟道 继续变窄 ② VDS对沟道的控制作用 当VGS=0时，VDS → ID G、D间PN结的反向电 压增加，使靠近漏极处的 耗尽层加宽，沟道变窄， 从上至下呈楔形分布。 当VDS增加到使VGD=VP 时，在紧靠漏极处出现预 夹断。 此时VDS → 夹断区延长 → 沟道电阻→ID基本不变 ③ VGS和VDS同时作用时 当VP <VGS<0 时，导电沟 道更容易夹断，对于同样 的VDS ，ID的值比VGS=0时 的值要小。 在预夹断处 VGD=VGS-VDS =VP 2. 工作原理 4.1.1 JFET的结构和工作原理
4.1.1JFET的结构和工作原理 综上分析可知 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电, 所以场效应管也称为单极型三极管 JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的,因 此i6≈0,输入电阻很高。 JFET是电压控制电流器件,受s控制 预夹断前与听呈近似线性关系;预夹断后, 趋于饱和。 HOME BACK NEXT
综上分析可知 • 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电， 所以场效应管也称为单极型三极管。 • JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制 • 预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后， iD趋于饱和。 • JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因 此iG0，输入电阻很高。 4.1.1 JFET的结构和工作原理