4.3金属-氧化物一半导体场效应管( MOSFET) 4.3.1N沟道增强型 MOSFET(EMOS) 结构 工作原理 特性曲线及参数 432N沟道耗尽型 MOSFET(DMOS) 43.3各种FET的特性及使用注意事项 HOME
4.3.1 N沟道增强型MOSFET(EMOS) 4.3.3 各种FET的特性及使用注意事项 4.3.2 N沟道耗尽型MOSFET(DMOS) • 特性曲线及参数 • 结构 • 工作原理 4.3 金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）
4.3.1N沟道增强型 MOSFET 1.N沟道增强型MOS管的结构 金属铝 Source Gate Drain Contacts 绝缘层 ontacts Gi-B Channel arga P sub enrate 沟道区域 Heavily doped with Heavily doped with excess electron cess electrons P型衬底 HOME BACK NEXT
4.3.1 N沟道增强型MOSFET 1. N沟道增强型MOS管的结构 P型衬底 沟道区域 绝缘层 金属铝
4.3.1N沟道增强型 MOSFET 2.工作原理 (1)导电沟道形成 G D (a)VGs= VDs =0 原始状态 耗尽层 (a) (b)VGS(th)>VGS 0, VDS =0 GS D 当Vcs为零或较小的正值时, 源区和漏区之间均被空间电荷P的图《《x 区隔断。 耗尽层 P HOME BACKNEXT
(a) VGS= VDS ＝0 ⑴ 导电沟道形成 (b) VGS(th) >VGS>0, VDS ＝0 当VGS为零或较小的正值时， 源区和漏区之间均被空间电荷 区隔断。 4.3.1 N沟道增强型MOSFET 2. 工作原理 原始状态
4.3.1N沟道增强型 MOSFET 2.工作原理(续) G (c)VGs>V GS(th) DS 0 耗尽层/P反型层 形成导电沟道 N型导电沟道 (d)VGs>VGS(th), VDS>0 G D 形成自漏区到源区的漏极 电流。D端加有电压,导 电沟道不均匀, HOME BACK NEXT
(c) VGS >VGS(th),VDS ＝0 (d) VGS >VGS(th), VDS >0 形成导电沟道 N型导电沟道 4.3.1 N沟道增强型MOSFET 2. 工作原理（续） 形成自漏区到源区的漏极 电流。D端加有电压，导 电沟道不均匀
4.3.1N沟道增强型 MOSFET (2)VDs对沟道的控制作用 (e)vGs >V GS(),GSGs(th) >Ds >0 则Vcm=V GS DS GS(th) i///iZZ 此时Vs↑→VD↓→漏端沟道变窄 即VDs↑→D个 预夹断 (OnEs> GS(th) , DS GS(th) GD GS (th) G GA GS(th) D基本不变 P HOME BACK NEXT
(f) VGS >VGS(th) , VDS = VGS -VGS(th) 则 VGD=VGS-VDS >VGS(th) (e) VGS >VGS(th) , VGS -VGS(th) >VDS >0 此时VDS → VGD↓→ 漏端沟道变窄 ID基本不变 预夹断 VGA=VGS(th) VGD =VGS-VDS =VGS（th） 4.3.1 N沟道增强型MOSFET （2）VDS对沟道的控制作用 即 VDS → ID