3.1半导体三极管(BJT) 3.1.1BJT的结构简介 3.1.2BJT的电流分配与放大原理> 3.13BJT的特性曲线 3.1.4BJT的主要参数 HOME
3.1.1 BJT的结构简介 3.1.2 BJT的电流分配与放大原理> 3.1.3 BJT的特性曲线 3.1.4 BJT的主要参数 3.1 半导体三极管（BJT）
3.1.1BJT结构简介 1.三极管的构造核心:一块有两个相互联系的 PN结单晶;示意图如下 发射区发射结(Je) 集电结(Jc) 集电区 NPN型 集电极,用C或c 表示( Collector) N 基区 发射极,用E或e 表示( Emitter 基极,用B或 C b表示(Base) b e HOME BACK NEXT
3.1.1 BJT结构简介 1. 三极管的构造核心：一块有两个相互联系的 PN结单晶；示意图如下 发射区 发射极，用E或e 表示（Emitter） 发射结(Je) 基极，用B或 b表示（Base） 集电极，用C或c 表示（Collector） 集电区 基区 集电结(Jc)
3.1,1BJT简介 2.两种BJT类型NPN型和PNP型及其符号 NPN型 PNP型 N N N C C e e 两种类型的三极管 3.BJT制造工艺:合金法、扩散法 HOME BACK NEXT
两种类型的三极管 2. 两种BJT类型NPN型和PNP型及其符号 3.1.1 BJT简介 3. BJT制造工艺：合金法、扩散法
3.1,1BJT简介 4.BJT的分类 按材料:硅三极管、锗三极管 按用途:高频管、低频管、功率管、开关管 (国标):国产三极管的命名方案 BJT的外形图 HOME BACK NEXT
• 按材料：硅三极管、锗三极管 • 按用途：高频管、低频管、功率管、开关管 • (国标) ：国产三极管的命名方案 3.1.1 BJT简介 4. BJT的分类 BJT的外形图
312BJT的电流分配与放大原理 结构特点 NPN型 发射区的掺杂浓度最高; 集电区掺杂浓度低于发射 P 区,且面积大; 基区很薄,一般在几个微 米至几十个微米,且掺杂 管芯结构剖面图 浓度最低 HOME BACK NEXT
3.1.2 BJT的电流分配与放大原理 结构特点： • 发射区的掺杂浓度最高； • 集电区掺杂浓度低于发射 区，且面积大； • 基区很薄，一般在几个微 米至几十个微米，且掺杂 浓度最低。 管芯结构剖面图