8 勇述 最近的器件被制成适合不同用途的各种外形。 功率放大器件需要大外形的封装，这是为了增大散热面积和与热沉（散热器） 的接触面积。 NEC 照片1.3高频器件 (为了改著高领特性，高颗器件需要政变封装结构。这是谊来性能而进化的结果} 在10年之前（约1981年左右），常常见到照片1.4所示的金属壳封装的器件 但在最近的器件变成照片1,1所示的塑料模压封装。 照片1，↓金属壳封装 (最近不常见到的金属充封装，在过去是高可靠的象征，而现在，塑模封装的可靠性更高 这是出于塑料模压封装的可靠性更好的缘故。过去觉得金属壳封装的器件可 靠性高，但现在，塑料模压封装的可靠性反而更高 小信号器件的外形是比较小的。但最近，有外形更小的趋势。这是为了进一
13晶体管和ET的近况 9 步减小封装面积。 高频器件，因为有必要尽量将引线（脚）做短，使得感抗和容抗成分接近于零， 所以采用照片1,3所示的特殊形状的封装（在照片中，可将引线长的腿切短之后使 用)。另外，为了进一步降低短引线的阻抗，引线本身的形状几乎都成为板状。 为了能在各白的用途上发挥最高的性能，最近的晶体管和下ET在外形上都作 了改进。 1.3.2内部结构的改进 I和LS1的结构是将晶体管或FET封装在其内部而成为现在样子的。这就 可以认为IC和LS1是含有电路技术的，是利用晶体管或FET技术改进而来的。 然而，在最近的晶体管和FET中，能够制作应用了LS1精密加工技术的器件 照片1.5是功率开关MOSFET的芯 片。该器件是在其内部将大量的小FET 并联连接起来的，每一个单元中流过的电 流很小，防止局部的电流集中（若电流局部 集中，则器件就损坏)，同时改善高频特性 目前的功苹开关MOSFET几平都是这种 结构。 另外，在大部分的高速开关晶体管内 部，将大量的晶体管并联连接起来。高顿 片1.5功率开关MOSFET芯片 功率放大品体管的一部分也采用同样的 〔在该芯片内部，将许多小器件并联连接，以 结构。 提高芯片的性能，完全像存储器C的芯片 在UHF频带和微波频带等高频范围 一样。这种微细加工技术是从1C和1S转 移过来的) 使用的称为MES FET(MEtal Semi- condnetor FET)和HEMT(High Electron Mobility Transistor,高迁移率晶体管 的器件中，必须使用精确控制杂质和牡m级正确尺寸精度的技术。这些技术也是 由IS1反馈而来的。 1.3.3晶体管和FET的优势 最近的品体管和FET,因为吸收了1C和LS1的技术面不断取得进步，所以若 1C和LSI的性能变得越来越好，晶体管和FET的性能也就变得越来越好。 并且，这些超高性能的品体管和FET可以用在模拟电路（如：大功率电路，高 压电路，低噪声电路、高精度电路和高频电路等)方面。这些电路仅用C和LS1还 不能制作
10 第1章版述 可见，晶体管和FET不是被IC和LSI所排斥，相反，它吸取了LSI的技术，在 IC和LSI中不能制作的、最先进的模拟电路中找到了生存的空间。 虽然本书介绍的是晶体管电路的最基本的内容，但最先进的电路也好，基本电 路也好，它们的工作原理是相同的。如果扎实地掌握了基础知识，就能拳握设计最 先进电路的技术
第2章 放大电路的工作 本章对共发射极电路进行实验。晶体管如何放大信号？这是个要追根究底的 话题。总之，不管怎样的连接，先让我们来观察它的工作情况，再开始我们的讨论 吧！ 2.1观察放大电路的波形 2.1.15倍的放大 放大电路的作用是将小信号放大为大信号。例如，将0.1V的信号提高为1V 信号一即是放大。 首先，用晶体管组成一般的放大电路，并用示波器对各部分的工作波形进行观察。 图2.1是进行实验的电路。看一下晶体管就知道，晶体管有三个端子，分别是 基极、发射极和集电极。在图.2.1的电路中，基极为输人，集电极为输出，发射极为 公用（地）端。因此，称图2.1的电路为共发射极放大电路(Common Emitter Am plifier)。作为信号放大用IC的有名的OP放大器，在其内部起放大作用的部分电 路当中，使用的就是共发射极放大电路。 直流电廊 形ac+15V of出 发射极 25C2458 接地（信号共用 图2.1实验用的放大电路 用一只晶体管进行上作的典的共发射极板大电路】
第2登成大电路的丁作 照片2.1是将图2,1的电路封装在通用印制板上的放大电路。如果操作熟练 的话，这种电路10分钟就能封装（焊接）完毕 照片2.1实验用单品体臂放大电路 (该电路儿乎是原尺寸大小如果品体管采用小信号放大NPN品体管，孩电路就大 体上能够使用) 45.00 在该电路中，当输入信号是由实验用 的正弦波发生器产生的1kH么1V,的正 弦波信号时，其输入输出波形如照片2.2 所示。 输入信号为1V,输出信号物的 振幅（波形上下之间的值）为5V。,这个电 路的电压放大倍数A,为5。如果用对数 照片2.2输入电压与输出 来表示，则为201g5≈14dB。 电压，的波形(200us/dw.1V/dw) 为]V。为5V,是5倍的应大，因 仔细对波形进行观察可知，输出波形 为周期为1m,信号的频为1k比，与的 的相位相对干输人波形有180°的改变（波 相位相反】 形反转)。 2.1.2基极偏置电压 照片2.3是输人信号珠与晶体管基极电位4的波形。 丝的振幅和相位完全与，相同，粉的波形是在交流成分上叠加约2.6V(在照 片中为2.62V)的直流电压的波形， 该直流电压称为基极偏置电压，产生偏置电压的电路（在该电路中，为R与 R:)称为偏置电路 所谓偏置(bis)是“偏离”的意思，在图2.1的电路中，将基极电位偏离了直流 2.6V,故有这样的称呼