交叉耦合LC振荡器的常见电路形式?MMhMM+NMOS对管提供CMOS结构：负振荡的直流负阻，振荡的直阻由PMOS和电平可以调流电平为VDDNMOS对管共同到VDD/2提供，降低功耗西安文通大学Chpt.#8.振荡器与频率综合IVESIE16/81LabofMixed-SignalSystems
Lab of Mixed-Signal Systems 16 /81 Chpt. #8. 振荡器与频率综合 交叉耦合LC振荡器的常见电路形式 C M1 M2 L NMOS对管提供 负阻，振荡的直 流电平为VDD 振荡的直流 电平可以调 到VDD/2 CMOS结构：负 阻由PMOS和 NMOS对管共同 提供，降低功耗
三电抗式LC振荡器XV-ixMi16如果将XX处开路，则此端口的等效阻抗为11gm=iZr =sCsCs2C,C2sC2sCsC稳态情况下其中包含了一个负电阻和一个等效电容，gmC,C2Ceq=0?C,C2C + C,接上电感L后电路振荡在1L=西安文通大学Chpt.#8.振荡器与频率综合VENN17/81LabofMixed-SignalSystems
Lab of Mixed-Signal Systems 17 /81 Chpt. #8. 振荡器与频率综合 如果将XX’处开路，则此端口的等效阻抗为 稳态情况下其中包含了一个负电阻和一个等效电容， 接上电感L 后电路振荡在 1 21 1 ( ) x x xx m i i vi g sC sC sC − =− + 三电抗式LC振荡器
科尔皮兹振荡器（ColpittsOscillator）■选择合适的交流地就得到科尔皮兹振荡器X00只要管子的g足够大，电路可以轻易起振，振荡频率为10=C,C2C,+C,一个晶体管，噪声性能非常好（常见的分立振荡器形式）缺点是只是单端输出，只得到一个相位的信号西安文通大学Chpt.#8.振荡器与频率综合18/81LabofMixed-SignalSystems
Lab of Mixed-Signal Systems 18 /81 Chpt. #8. 振荡器与频率综合 科尔皮兹振荡器（Colpitts Oscillator) 选择合适的交流地就得到科尔皮兹振荡器 只要管子的gm足够大，电路可以轻易起振，振荡频率为 一个晶体管，噪声性能非常好（常见的分立振荡器形式) 缺点是只是单端输出，只得到一个相位的信号 0 1 2 1 2 1 C C L C C ω = +
主要内容振荡器基于运放的RC型振荡器环形振荡器LC振荡器振荡器的频率调节相噪声和抖动锁相环型频率综合器西安文通大学Chpt.#8.振荡器与频率综合VESIT19/81Lab of Mixed-Signal Systems
Lab of Mixed-Signal Systems 19 /81 Chpt. #8. 振荡器与频率综合 振荡器 基于运放的RC型振荡器 环形振荡器 LC振荡器 振荡器的频率调节 相噪声和抖动 锁相环型频率综合器 主要内容
压控振荡器（VCO）通常，振荡器的频率必须可调可以通过电流和电压来调节频率，实际中用电压较多，容易实现Voltage(Current)-Controlled Oscillator,VCO或ICO环形VCO通过改变延迟单元的延迟来控制振荡频率Vecontral通过控制尾电流的大小，以控制每级的充放电的延时时间改变频率，可以获得很大调节范围和较高的调节线性度西安文通大学Chpt.#8.振荡器与频率综合20/81Lab of Mixed-Signal Systems
Lab of Mixed-Signal Systems 20 /81 Chpt. #8. 振荡器与频率综合 压控振荡器（VCO） 通常，振荡器的频率必须可调 可以通过电流和电压来调节频率，实际中用电压较多，容易实现 Voltage (Current)-Controlled Oscillator, VCO 或 ICO 环形VCO通过改变延迟单元的延迟来控制振荡频率 通过控制尾电流的大小，以控制每级的充放电的延时时间改变频率，可 以获得很大调节范围和较高的调节线性度