3.2.1载流子的漂移与扩散 漂移运动： 在电场作用引起的载流子的运动 扩散运动： 由载流子浓度差彰引起的载流子的运动
3.2.1 载流子的漂移与扩散 漂移运动： 在电场作用引起的载流子的运动 扩散运动： 由载流子浓度差引起的载流子的运动
3.2.2PN结的形成 P型 N型 ⊕ ● ●
3.2.2 PN结的形成 P 型 N 型
3.2.2PN结的形成 一P型区空间电荷区一N型区· ⊕ ⊕ 内电场E
3.2.2 PN结的形成 P 型区 空间电荷区 N 型区 内电场 E
在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质，分别形成 N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半 导体的结合面上形成如下物理过程： 因浓度差 多子的扩散运动→由杂质离子形成空间电荷区 ↓ 空间电荷区形成内电场 内电场促使少子漂移 内电场阻止多子扩散 最后，多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡
在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分别形成 N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半 导体的结合面上形成如下物理过程: 因浓度差 空间电荷区形成内电场 内电场促使少子漂移 内电场阻止多子扩散 最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。 多子的扩散运动→ 由杂质离子形成空间电荷区
3.2.3P结的单向导电性 当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加 正向电压，简称正偏；反之称为加反向电压，简称反偏。 (1)PN结加正向电压时 ·低电阻 PN结加正向电压时的导电情况 ·大的正向扩散电流 P ip/mA + + + 1.0 + 正向偏 ++ 置特性 十十 0.5 + + -1.0 -0.5 0.5 1.0 Up/V PN结的I-V特性 R
3.2.3 PN结的单向导电性 当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加 正向电压，简称正偏；反之称为加反向电压，简称反偏。 (1) PN结加正向电压时 • 低电阻 • 大的正向扩散电流 PN结的I-V 特性 iD/mA 1.0 0.5 -1.0 -0.5 0.5 1.0 vD/V 正向偏 置特性