7模拟集成电路 7.1模拟集成电路中的直流偏置技术 7.2差分式放大电路 7.3差分式放大电路的传输特性 *7.4带有源负载的差分放大电路 7.5集成运算放大器 7.6实际集成运算放大器的主要参数和对应用电 路的影响 7.7变跨导式模拟乘法器 7.8放大电路中的噪声与干扰
7 模拟集成电路 7.1 模拟集成电路中的直流偏置技术 7.2 差分式放大电路 7.3 差分式放大电路的传输特性 *7.4 带有源负载的差分放大电路 7.5 集成运算放大器 7.6 实际集成运算放大器的主要参数和对应用电 路的影响 7.7 变跨导式模拟乘法器 7.8 放大电路中的噪声与干扰
7.1模拟集成电路中的 直流偏置技术 7.1.1FET电流源电路 7.1.2BJT电流源电路
7.1 模拟集成电路中的 直流偏置技术 7.1.1 FET电流源电路 7.1.2 BJT电流源电路
7.1.1FET电流源电路 1.MOSFET镜像电流源 +VDD T1、T,的参数全同 IREF 只要满足Vcs>VN dz NMOS 必有VDs1>Vcs-VN d T1一定工作在饱和区 VDS T 又因为VGs2=Vcs1=Vcs VGs T,漏极接负载构成回路后，只要 满足VDs2>VGS-VTN,就一定工 -Vss 作在饱和区，且有 Lo=102=Igur Pon+Ls -Vos R
7.1.1 FET电流源电路 1. MOSFET镜像电流源 R V V V I I I DD SS GS O D2 REF T1、T2的参数全同 只要满足 VGS > VTN 必有 VDS1 > VGS-VTN T1一定工作在饱和区 又因为 VGS2 = VGS1 = VGS T2漏极接负载构成回路后，只要 满足VDS2 > VGS-VTN ，就一定工 作在饱和区，且有
7.1.1FET电流源电路 1.MOSFET镜像电流源 +VDD 1。=l2=1er=n+Ks-s R 再根据IREe=Io1=Kn(ys-VN月 NMOS d ID2=0 便可求出电流值 T VDS2 Io的电流值与R无关 VGs R的值在一定范围内变化时 (VDs2>VGS-VTN),Io的电流值将 -Vss 保持不变，反映出I。的恒流特性
7.1.1 FET电流源电路 1. MOSFET镜像电流源 R V V V I I I DD SS GS O D2 REF 2 REF D1 K VGS VTN I I 再根据 n 便可求出电流值 IO的电流值与Rd无关 Rd的值在一定范围内变化时 （VDS2 > VGS-VTN），IO的电流值将 保持不变，反映出IO的恒流特性
7.1.1FET电流源电路 +VDD 1.MOSFET镜像电流源 动态电阻（交流电阻） +VDD NMOS d, ID2=0 Ra 。=( T T2 00Ds2 Io=Ip2 VGs 1 Vss -Vss 当器件具有不同的宽长比时 ip2-io 击穿 斜率= (2=0) ID2 IREF (W1L)1 可用范围 电流源是双口网络还是单口网络？ 0 VGS-VTN N VDS VBR
7.1.1 FET电流源电路 1. MOSFET镜像电流源 当器件具有不同的宽长比时 1 2 D1 D2 REF O ( / ) ( / ) W L W L I I I I （=0） 动态电阻(交流电阻) G 2 1 DS2 D2 o ( ) V S i r v D2 ds2 1 I r