深圳大学电子科学与技术学院 饱和光强反比于线型函数。如果该均匀加宽 工作物质具有洛伦兹线型 h A 21(10 8丌 △ 8n(v12v) 2丌 △ H 2 1()=1+4(Y-) 0 (△vn) h 21
深圳大学电子科学与技术学院 饱和光强反比于线型函数。如果该均匀加宽 工作物质具有洛伦兹线型 21 2 0 h I s = ( , ) ~ 8 ( , ) 2 1 0 0 2 21 21 1 0 g A = 2 2 1 0 1 0 ) 2 ( ) ( 1 2 ( , ) ~ H H gH − + • = 2 2 1 1 0 ( ) 4( ) 1 ( ) s H s I I − = + 当1＝0时 s I I n n 0 1 0 + = 2 1 1 0 2 0 2 1 1 0 2 1 1 ( , ) ( , ) ( ) h h I s =
深圳大学电子科学与技术学院 反转集居数饱和的特点: 中心频率处的饱和光强l最小。入射光偏离 中心频率越大,所对应的饱和光强越大。 在相同的入射光强下,饱和光强越小,与 △n相比,△n值下降越多,饱和效应越严重 入射光频率为中心频率时饱和效应最强烈, 偏离中心频率越远,饱和效应越弱。?? 中心频率处受激辐射几率最大,入射光造成 的反转集居数下降越严重
深圳大学电子科学与技术学院 反转集居数饱和的特点： • 中心频率处的饱和光强Is最小。入射光偏离 中心频率越大，所对应的饱和光强越大。 • 在相同的入射光强下，饱和光强越小，与 n 0相比， n值下降越多，饱和效应越严重 • 入射光频率为中心频率时饱和效应最强烈， 偏离中心频率越远，饱和效应越弱。?? 中心频率处受激辐射几率最大，入射光造成 的反转集居数下降越严重