医学影像电子学△△△△△△ 二.杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量杂质元素后的 半导体称为杂质半导体。 1.N型半导体 在本征半导体中掺入五价杂质元素，例 如磷，砷等，称为N型半导体
医学影像电子学△公 N型半导体 ● 硅原子●+406+40d+4° 电子空穴对 自由电子 多余电子 N型半导体 ●●● ⊕●④。④”④ ●(+40+5)●0+4)p 磷原子 1● ·①①°①④ ● ●(+4●●(+4)。●(+4)0 ⊕①”④°④ 施主离子 多数载流子 一自由电子 少数载流子 空穴
医学影像电子学△△△△△△ 2.P型半导体 在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓等。 硅原子。 ● 电子空穴对 空穴 o(+40G+4p·+40 P型半导体 空穴 ● O°OPO°O ·(+40@+3O0+40 8O°O°O°⊙ 原子 ● 0 O°O0O (+40可+4p+40 ● 受主离子 多数载流子—空穴 少数载流子 一自由电子
医学影像电子学公 杂质半导体的示意图 多子一空穴] 多子一电子 P型半导体 N型半导体 ⊙0O°OO9 ①●④”①°⊕· ● ⊕●⊕°④”⊕· O0O°O°O9 ④°④”④”⊕” 少子一电子 少子一空穴 少子浓度—与温度有关 多子浓度—与温度无关
医学影像电子学△△△△△△△ 三，PN结及其单向导电性 1,PN结的形成 PN结合→因多子浓度差→多子的扩散→空间电荷区 →形成内电场→阻止多子扩散，促使少子漂移。 一内电场E P型半导体空间电荷区N型半导体 ⊙°O°⊙O ④④●①●④· ⊙O°Oo ④④●①·④· ⊙°⊙°OC 耗尽层 多子扩散电流 少子漂移电流