可变电阻区 放大区 (1) 可变电阻区 在此区ET可以看作 ip/mA ups -U GS(oft) 一个受栅源电压ucs控制的 =0V 可变电阻，ucs变化时，导 电沟道的宽度也随之变化。 -0.2V uGs越负，漏源之间的等效 电阻越大，输出特性曲线越 -0.4V 倾斜。 -0./ (2)放大区 10 在此区导电沟道处于夹断状态，漏极电流，基本稳定， 称为饱和区或恒流区。ET用作放大器时通常都工作在这个 区域，故该区域称为放大区
在此区FET可以看作 一个受栅源电压uGS控制的 可变电阻，uGS变化时，导 电沟道的宽度也随之变化。 uGS越负，漏源之间的等效 电阻越大，输出特性曲线越 倾斜。 (1) 可变电阻区 在此区导电沟道处于夹断状态，漏极电流iD基本稳定， 称为饱和区或恒流区。FET用作放大器时通常都工作在这个 区域，故该区域称为放大区 。 (2) 放大区 可变电阻区 放大区
击穿区 3)击穿区 ip/mA ups ugs -UGs(o) 当ups↑增加到uns> 6 4s=0V 4BRDs后，栅漏间的PN 5 (2) (3) -0.2V0 结发生雪崩击穿，漏极 电流迅速增大，通常不 -0.4V 允许FET工作在击穿区。 -0.6v ups/V 8 10 (④)截止区 截止区 当ucs<uGS(oR)时，导电沟道完全被夹断。这一点与 BJT输出特性曲线的截止区类似
截止区 当uDS↑增加到 uDS> u(BR)DS后，栅漏间的PN 结发生雪崩击穿，漏极 电流迅速增大，通常不 允许FET工作在击穿区。 (3) 击穿区 当uGS< uGS(off)时 ，导电沟道完全被夹断。这一点与 BJT输出特性曲线的截止区类似。 (4) 截止区 击穿区