6.1.1BJT电流源电路 +Vcc 3.高输出阻抗电流源 IREF VCC-VBE3-VBE2+VEE R olca= A1和A3分别是T1和T3的相对结面积 动态输出电阻·远比微电流源的动态输出电阻为高 比医学院生物医学工程
A1和A3分别是T1和T3的相对结面积 动态输出电阻ro远比微电流源的动态输出电阻为高 6.1.1 BJT电流源电路 3. 高输出阻抗电流源 R V V V V I CC BE3 BE2 EE REF REF 1 3 O C2 I A A I I
6.1.1BJT电流源电路 +Vcc 4.组合电流源 T1、R,和T4支路产生基准电流 IREF T和T2、T,和Ts构成镜像电流源 T1和T3,T和T构成了微电流源 REF R VEE 1北医学院生物医学工程
6.1.1 BJT电流源电路 4. 组合电流源 T1、R1和T4支路产生基准电流 IREF 1 CC EE BE1 EB4 REF R V V V V I T1和T2、T4和T5构成镜像电流源 T1和T3，T4和T6构成了微电流源
6.1.2FET电流源 1.MOSFET镜像电流源 +VpD o=Io2=IREE Yon +Vs -Ves R d NMOS 当器件具有不同的宽长比时 T g T2 VDS2 1o= 2IL2.Ig WIL ,(2=0) Yo=rds2 -Vss MOSFET基本镜像电路流 1北医学院生物医学工程
6.1.2 FET电流源 1. MOSFET镜像电流源 当器件具有不同的宽长比时 R V V V I I I DD SS GS O D2 REF REF 1 1 2 2 O / / I W L W L I （=0） ro = rds2 MOSFET基本镜像电路流
6.1.2FET电流源 +VpD 1.MOSFET镜像电流源 RE时 用T3代替R,T1~T3特性相同， 1o20 且工作在放大区，当=0时，输出 电流为 T ID2=(W1L)2K2(Vc2-'2)2 + Vas =Kn2(VGS2 -V2) 常用的镜像电流源 比医学院生物医学工程
6.1.2 FET电流源 1. MOSFET镜像电流源 2 n2 GS2 T2 2 D2 2 n2 GS2 T2 ( ) ( / ) ( ) K V V I W L K V V 用T3代替R，T1~T3特性相同， 且工作在放大区，当=0时，输出 电流为 常用的镜像电流源
6.1.2FET电流源 2.MOSFET多路电流源 IREF =IDO +VDD =Kno(VGso-VTo)2 IDO=IREF W:lL2Iger NMOS To W1/L1 13- W3/L NMOS TI IL IREF VGs2 VG84 W,ILa IRE W,1L1 -Vss 北医学院生物医学工程
6.1.2 FET电流源 2. MOSFET多路电流源 REF 1 1 2 2 D2 / / I W L W L I REF 1 1 3 3 D3 / / I W L W L I REF 1 1 4 4 D4 / / I W L W L I 2 n0 GS0 T0 REF D0 K (V V ) I I