M++ne+Hg=M(Hg) paep9-RTnF)ln(C/C,)Ca:金属在汞齐 中的浓度C：金属离子在电极表面浓度 依扩散电流方程式得：i=k,C。 未达到极限扩散电流以前，=k(C。C) C。金属离子在本体溶液中的浓度 C。=(i4i)/k k,=607nD,m236(25℃) 还原产物浓度(M在汞齐中浓度) Ca=ik2k=607nD12m23t6(25℃)
Mn++ne+Hg=M(Hg) de = —(RT/nF)ln(Ca /Cs ) Ca：金属在汞齐 中的浓度 Cs：金属离子在电极表面浓度 依扩散电流方程式得：i d=ksCo 未达到极限扩散电流以前，i=ks (Co -Cs ) Co :金属离子在本体溶液中的浓度 Cs =（ i d - i）/ ks ks=607 nDs 1/2m2/3t 1/6 (25℃) 还原产物浓度（M在汞齐中浓度） Ca=i/ka ka=607 nDa 1/2m2/3t 1/6 (25℃)
pae=φ°-RTnF)ln(k/k)-RT/nF)lni/a-il k/k=D,1yDg12.pa。=φ-RT/nF)lnD,12yD,) (RT/nF)In[i/(ia-i)] p12=φ9(RT/mF)lnD,12/D,1/2 =i/2时，即 (RT/nF)In[i/(ig-i)]=0) Pde =1-(RT/nF)In[i/(ia-i)] =p1n-(0.059/m)lg[/a-i订 依pae~lg/(r求得截距可求p2? 求得斜率得电子 反应数n。若pe~lg不为直线或斜率不等于 n/0.059则为不可逆波
de = -(RT/nF)ln(ks / ka ) -(RT/nF)ln[i/(id -i)] ks / ka= Ds 1/2/ Da 1/2 ∴de = -(RT/nF)ln (Ds 1/2/ Da 1/2) - (RT/nF)ln[i/(id -i)] 1/2 = -(RT/nF)ln (Ds 1/2/ Da 1/2) (i= id /2时，即 (RT/nF)ln[i/(id -i)]=0) de =1/2 -(RT/nF)ln[i/(id -i)] = 1/2 -(0.059/n)lg[i/(id -i)] 依de~ lg[i/(id -i)] 求得截距可求1/2，求得斜率得电子 反应数n。若de~ lg[i/(id -i)]不为直线或斜率不等于 n/0.059则为不可逆波
2.络合物极谱波 C C MX,a-pb=M*+pXb↑↑ ↑ 解离常数k=(M+XP)/[MX-p],M+片 k[MX p(-PbJ/[X-bJP_Cp 以简单离子paeφ-RT/nF)ln(C,/C,)C、M+] 代入 Pde=-(RT/nF){InCa-In(ke [MX p(n-Pb)]/[X-b]P)X b]=Cx [MX pl=CMx =p+RT/nF)lnk。-pln C3]-RT/nF)ln(Ca/Cw)）
2．络合物极谱波 Cx CMx CMx MXp (n-pb)=Mn++pX-b ↑ ↑ ↑ 解离常数 kc=([Mn+][X-b ] p )/[MX p (n-pb)], [Mn+]= kc [MX p (n-pb)]/ [X-b ] p Cx p 以简单离子de = -(RT/nF)ln（Ca /Cs） Cs=[Mn+] 代入 de = -(RT/nF){ lnCa -ln(kc [MX p (n-pb)]/ [X-b ] p )} 设[Xb ]= Cx [MX p ]= CMx =+(RT/nF)[ln kc -pln Cx ] -(RT/nF)ln(Ca / CMx )
Cai/k CMx=(i-id)/kMs>kyx/k=DMXI2/D P=+(RT/nF)[n k.-pln C(RT/nF)In DDx)(RT/F)[/(] i=1/2 id P2=+(RT/nF)In k+(RT/nF)In (D,2/DMxI2)- p(RT/nF)lnCx K=+(RT/nF)In k+(RT/nF)In (D12/DMxI) p12=K-p(0.059/m)lgC、 以φ12>gC,作图，斜率=p(0.059n)知道n,可 求络合比
∵Ca=i/ ka , CMx=(i-id )/kMx, kMx/ ka= DMX 1/2/ Da 1/2 ∴ de =+(RT/nF)[ln kc -pln Cx ]+ (RT/nF)ln (Da 1/2/ DMX 1/2)—(RT/nF)ln[i/(id -i)] i=1/2 id 1/2 =+(RT/nF)ln kc+(RT/nF)ln (Da 1/2/ DMX 1/2)- p(RT/nF)lnCx K=+(RT/nF)ln kc+(RT/nF)ln (Da 1/2/ DMX 1/2) 1/2=K-p(0.059/n)lgCx 以1/2~lg Cx作图，斜率=-p(0.059/n) 知道n，可 求络合比
简单离子半波电位 (p)-(RT/nF)In(D D) 形成络合离子后半波电位移动（φ12）。一（φ2 s=(RT/nF)In(D,12/DMx12)+(RT/nF)lnk- p(RT/nF)InCx D.IREDMXI2 (p2)。-(p2),=(RT/nF)Ink -p(RT/nF)lnC、 (p12)一络合物 (p12)、一简单 1) 可求得络合物的不稳定常数k（(截距) 2)络离子越稳定k不稳越小，(p2)越负，C↑， （p12)变负 3)可利用络合方法改变半波电位，消除干扰
简单离子半波电位（1/2）s =—(RT/nF)ln(Ds 1/2/ Da 1/2) 形成络合离子后半波电位移动 （1/2）c—（1/2） s=(RT/nF)ln(Ds 1/2/ DMX 1/2)+ (RT/nF)lnkc— p(RT/nF)lnCx ∵Ds 1/2≈DMX 1/2 （1/2）c—（1/2）s=(RT/nF)lnkc—p(RT/nF)lnCx （1/2）c—络合物 （1/2）s—简单 1）可求得络合物的不稳定常数kc （截距） 2）络离子越稳定k不稳越小，（1/2）c越负，Cx ↑， （1/2）c变负 3）可利用络合方法改变半波电位，消除干扰