焦距可调不同之处1：RVo=A(NI)?物平面Vo-电子加速电压：R-透镜半径：NI-激磁线圈安匝数：像平面（1）A-与透镜结构有关的比例常数。像平面（2）减小激磁电流，可使电磁透镜磁场强度降低、焦距变长(由f变为f），像距增加（由v,变为v2），放大倍数增大
减小激磁电流，可使电磁透镜磁场强度降低、焦距 变长(由f 1变为f 2 ），像距增加（由ν1变为ν2），放 大倍数增大。 不同之处1：焦距可调 2 0 (NI) RV f A V0-电子加速电压； R-透镜半径； NI-激磁线圈安匝数； A-与透镜结构有关的比 例常数
不同之处2：沿螺旋线轨迹运动可见光以7折线形式穿过玻璃透镜磁转角β：电磁透镜成像时附加的旋转角度。物与像的相对位向对实像为180°±β
沿螺旋线 轨迹运动 可见光以 折线形式 穿过玻璃 透镜 磁转角:电磁透镜成像时附加的旋转角度。物与 像的相对位向对实像为180 不同之处2：
(3)电磁透镜的分辨本领光学玻璃透镜的分辨本领可以达到光学波长的1/2。对于电磁透镜来说，自前还远远没有达到分辨率是波长的一半（若加速电压是200KV，那么分辨率应该是0.00251nm)·由像差（球差、像散和色差）造成的，综合考虑各影响因素后：A一常数；△r = A23/4c1/4入一照明电子束波长：C.一透镜球差系数△r.的典型值约为0.25~0.3nm，高分辨条件下，△r可达约0.15nm
（3）电磁透镜的分辨本领 • 光学玻璃透镜的分辨本领可以达到光学波长的1/2。 • 对于电磁透镜来说，目前还远远没有达到分辨率是波长的 一半（若加速电压是200KV，那么分辨率应该是 0.00251nm）。 • 由像差（球差、像散和色差）造成的，综合考虑各影响因 素后： 3/ 4 1/ 4 0 A Cs r A—常数； —照明电子束波长； Cs—透镜球差系数 r0的典型值约为0.25~0.3nm， 高分辨条件下，r0可达约0.15nm
·球差即球面像差，是磁透镜中心区和边沿区对电子的折射能力不同引起的。·其中离开透镜主轴较远的电子比主轴附近的电子折射程度更大。ImagePlane知乎@M
• 球差即球面像差，是磁透镜中心区和边沿区 对电子的折射能力不同引起的。 • 其中离开透镜主轴较远的电子比主轴附近的 电子折射程度更大
像散：由透镜磁场的非旋转对称引起的像差。透镜的极靴孔加工误差，上、下极靴的轴线垂直面光线交点错位、极靴材质不均以及极靴孔周围的局部污染等，都会引水平面光线焦点Q起透镜的磁场产生椭圆度。椭圆磁场长、短轴方向上的聚焦能力存在差异，结果成像物点通过透镜后不能在像平面上聚焦于一点
像散：由透镜磁场的非旋转对 称引起的像差。透镜的极靴孔 加工误差，上、下极靴的轴线 错位、极靴材质不均以及极靴 孔周围的局部污染等，都会引 起透镜的磁场产生椭圆度。椭 圆磁场长、短轴方向上的聚焦 能力存在差异，结果成像物点 通过透镜后不能在像平面上聚 焦于一点