*CD段 CD段：V>VDD-Vcs(Pl) VGS1<VGs(th)P,Ti截止 VGs2>VGS(h)N,T2导通 输出为低电平Vo=VoL≈0 返回
*CD段 CD段：VI>VDD-|VGS(th)P|, G S2 G S(th)N G S1 G S(th)P V V V V ，T1截止 ，T2导通 输出为低电平VO=VOL≈0 返回
*BC段：VGS(h)N<VI<VDD-IVs(th)Pl 此时，Vcs2>VGsN,Vcs1>VcsP,Ti 和T2同时导通。若T和T2参数完全对称， 则在V=1/2*VDD时两管的导通内阻相等， 即 Vo= 2 芯片工作在电压传输特性转折区的中点。 因此，CMOS反向器的阈值电压VH≈二VDD 2 返回
*BC段：VGS(th) N<VI<VDD-|VGS(th)P| 此时， VGS2 >VGS(th) N, |VGS1 |>|VGS(th) P|, T1 和T2同时导通。若 T1和T2参数完全对称， 则在VI=1/2*VDD时两管的导通内阻相等， 即 O VDD 2 1 V = 芯片工作在电压传输特性转折区的中点。 因此，CMOS反向器的阈值电压 TH VDD 2 1 V 返回
电流传输特性： AB段： T2工作在截止状态，内阻非常 高，所以流过漏极电流几乎 为零。 CD段： Vs(th)P T截止，所以D0 Gs(th)N B C D BC段 VDD U T和T同时导通，有电流流过T1和T2,并且，在 V=1/2*VDn附近Ib最大
电流传输特性： AB段： T2工作在截止状态，内阻非常 高，所以流过漏极电流ID几乎 为零。 CD段： T1截止，所以ID≈0 BC段 T1和T2同时导通，有电流流过T1和T2，并且，在 VI=1/2*VDD附近ID最大
三、输入端噪声容限 国产CC4000系列 CMOS电路的指标中规 15 VDD15V 定 10 VDD=10V 在输出高、低电平的变 化不大于10%VDD的条件下 5 输入高、低电平允许的最大 变化量 0 VNH(max)=VNL(mAx)-30%VDD 5 10 15功/V
三、输入端噪声容限 国产CC4000系列 CMOS电路的指标中规 定： 在输出高、低电平的变 化不大于10%VDD的条件下， 输入高、低电平允许的最大 变化量 VNH(max)=VNL(max)=30%VDD
3.CMOS反向器的静态输入特性 由于MOS管的栅极和衬底之间的绝缘 层$O2非常薄，极易被击穿（耐压约 100V),所以必须在CMOS电路的输入 端加保护电路
3.CMOS反向器的静态输入特性 由于MOS管的栅极和衬底之间的绝缘 层SiO2非常薄，极易被击穿（耐压约 100V），所以必须在CMOS电路的输入 端加保护电路