2.P沟道增强型 N型村底(B) Vo 开启电压VGs(h)为负 P沟道增强型MOS管
N P P D -VDD vo vI iD S D G RD P沟道增强型MOS管 2.P沟道增强型 开启电压VGS(th)为负 值
2.CMOS反向器的电路结构和工作原理 、 电路结构： 当V=VL=0时， VGSI VDD >VGS(th)P VGS2-0<VGS(th)N T:Vss 故T导通，T2截止，输出 其中T1是P沟道增强型 为高电平VoH,且 MOS管， VOH≈VDD T2是N沟道增强 型MOS管
2. CMOS 反向器的电路结构和工作原理 一、电路结构： 其中 T1是P沟道增强型 MOS管， T2是N沟道增强 型MOS管 当VI=VIL=0时， GS2 GS(th)N GS1 DD GS(th)P V 0 V V V V = = 故T1导通，T2截止，输出 为高电平VOH，且 VOH≈VDD
VDD 当VI-VOH VDDE时，有： VGSI=0<VGS(th)P VGS2 VDD VGs(th)N 0 故T截止，T2导通，输出为 低电平VoL,且VoL≈0. T:Vse 可见：输出与输入之间为逻辑非的关系
当VI=VOH=VDD时，有： GS2 DD GS(th)N GS1 GS(th)P V V V V 0 V = = 故T1截止，T2导通，输出为 低电平VOL ，且VOL≈0. 可见：输出与输入之间为逻辑非的关系
二、电压传输特性和电流传输特性 电压传输特性： A B 设VoD>VGSOWN+|VGs)P VDD 且VcsN=VGsP AB段：VI<VGs(th)N) CD段：V>VDp-VGS(th)Pl, VGsth)N VesbP BC段： 0 VpD 1 VGS(bN<VI<VDD-VGS(thP 由此可看出：CMOS电路的转折区的变化率很大， 更接近理想的开关特性。 继续
CD段：VI>VDD-|VGS(th)P|, 二、电压传输特性和电流传输特性 AB段：VI<VGS(th)N, BC段： VGS(th) N<VI<VDD-|VGS(th)P| 电压传输特性： 由此可看出：CMOS电路的转折区的变化率很大， 更接近理想的开关特性。 设 且 V V | V | DD G S(th)N + G S(th)P V | V | G S(th)N = G S(th)P 继续
*AB段 AB段：VI<VGS(th)N, VGs1>VGs()P,T导通 VGs2<VGSh)N,T截止 输出为高电平Vo=VoH≈VDD 返回
*AB段 AB段：VI<VGS(th)N, G S2 G S(th)N G S1 G S(th)P V V V V ，T1导通 ，T2截止 输出为高电平VO=VOH≈VDD 返回