3.3CMOS门电路 1.Mos管的开关特性 Mos的结构示意图和符号如下图所示： UDS SiO P型村底(B) 若在漏源极之间加上正电压VDs,栅源极之间加电压Vcs: 当VGs=O时，D、S之间不导通。 当Vcs>Vcsh)时，D、S之间导通，有电流iD流过。 Vcsh)-Mos的开启电压
3.3 CMOS门电路 Mos的结构示意图和符号如下图所示： 若在漏源极之间加上正电压VDS,栅源极之间加电压VGS: VGS(th) -Mos的开启电压。 当VGS=0时，D、S之间不导通。 当VGS> VGS(th) 时， D、S之间导通，有电流iD流过。 1.Mos管的开关特性
+VDD MOS管的基本开关电路 Mos的开关电路如右图所示： 当V=Vcs<Vcsh时， Mos管截止，D0.输出Vo为高 0 电平，Mos管的D—S之间就象一个断 开的开关。 当VI-VGS>Vcsh时， Mos管导通，D=VDD/Rp+rDs).输出Vo-b*rDs0, (因为Mos管导通时内阻rDs很小，rDs<1K2,一般RD>>1K2), 所以，此时Mos管的D一S之间就象一个闭合的开关
MOS管的基本开关电路 Mos的开关电路如右图所示： 当VI=VGS< VGS(th) 时， Mos管截止， iD ≈0 。输出VO为高 电平，Mos管的D—S之间就象一个断 开的开关。 当VI= VGS> VGS(th)时， Mos管导通， iD =VDD/(RD+rDS). 输出VO= iD* rDS ≈0, （因为Mos管导通时内阻rDS很小, rDS <1K Ω,一般RD>> 1K Ω)， 所以，此时Mos管的D—S之间就象一个闭合的开关
MOS管的开关等效电路 D (a) (6) (a)截止状态 (b)导通状态 C一栅极的输入电容，其值约为几皮法
MOS管的开关等效电路 C1—栅极的输入电容，其值约为几皮法
**Mos管的动态特性 由于Mos管导通时的漏源电阻rDs比三极管饱 和电阻大的多，漏极电阻R也比集电极电阻大， 故Mos管从导通转向截止和从截止转向导通时的 延迟时间较晶体三极管长，所以Mos管的开关速 度比二极管、三极管低。其动态特性如图：
**Mos管的动态特性 由于Mos管导通时的漏源电阻rDS比三极管饱 和电阻大的多，漏极电阻RD也比集电极电阻大， 故Mos管从导通转向截止和从截止转向导通时的 延迟时间较晶体三极管长，所以Mos管的开关速 度比二极管、三极管低。其动态特性如图：
MOS管的几种类型 1.N沟道增强型 UDS (X N+ +VDD P型村底(B) P型：多 子为空穴 D Vo 开启电压Vcs()为正 N沟道增强型MOS管
+VDD vo vI iD S D G RD N沟道增强型MOS管 MOS管的几种类型 P型：多 子为空穴 1.N沟道增强型 开启电压VGS(th)为正