3.2半导体二极管门电路 、半导体二极管的开关特性 当把二极管接在如下电路中时，并且假设二极管 导通时电阻为零，截止时电阻为无穷大。 R 当V为高电平VmVc时，D截止，V。=Vce,输出高 电平。 当V为低电平V=0时，导通，V。=0,输出低电平
1、半导体二极管的开关特性 当把二极管接在如下电路中时，并且假设二极管 导通时电阻为零，截止时电阻为无穷大。 + V1 - + V0 - Vcc D R 当VI为高电平VIH=Vcc时，D截止，Vo=Vcc ，输出高 电平。 当VI为低电平VIL =0时，导通，Vo =0 ，输出低电平.。 3.2半导体二极管门电路
实际的二极管特性 并非我们假设的理想特性，其特性 d曲线如下图： 0 即其反向电阻不是无穷大（有反向饱和电流s),正向 电阻不为0，且其导通有一定的起始电压。 常等效成下列几种情况： 1) 当外电路电源V、和等效电阻R都很小时： ON 0□ rD
并非我们假设的理想特性，其特性 曲线如下图： 即其反向电阻不是无穷大（有反向饱和电流IS ),正向 电阻不为0，且其导通有一定的起始电压。 常等效成下列几种情况： 1） 当外电路电源VSS和等效电阻RS都很小时： 实际的二极管特性 i v O D rD RS RS VSS VSS V S ON
2)当二极管的导通压降与外电路电源Vss不能 忽略，二极管的正向电阻与外电路电阻相比可以 忽略时： Vsso V SS R D Rs 在数字电路中，高电平一般仅为3V或5V,故Vow的影响 不可忽略。所以常等效为这种方式。（硅二极管的导通 压降Vo=0.7V,锗二极管的导通压降Vo=0.3V。) 3)当二极管的导通压降和正向电阻与外电路电源 Vss和外电路电阻相比均可忽略时：二极管可等效为 理想开关状态
与外电路电源VSS不能 忽略，二极管的正向电阻与外电路电阻相比可以 忽略时： 3） 当二极管的导通压降和正向电阻与外电路电源 VSS和外电路电阻相比均可忽略时：二极管可等效为 理想开关状态。 在数字电路中，高电平一般仅为3V或5V，故VON的影响 不可忽略。所以常等效为这种方式。（硅二极管的导通 压降VON=0.7V，锗二极管的导通压降VON=0.3V。） 2） 当二极管的导通压降 VSS RS D VSS RS S VON
2.二极管与门 1、二 极管与门电路 二极管或门电路 D R A以 、 B 以 B一 D: A B B
2.二极管与门 1、二极管与门电路 二极管或门电路
3.3CMOS门电路
3.3 CMOS门电路