北京大学：《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程电子教案（集成电路设计实习）综合实验2（数字定制设计——SRAM的设计）

数据写入电路 ●数据写入电路2 pmos_3p3 ●就是在数据写 入电路1的基础 上多了一个反相 rw=75-9 器,与位线b相连 w=2250=6 9wW=35e-6 ●数据写入电路 ossp 尺寸选取,主要 w=75e-9 =2e-6 是要驱动能力足 够改变存储单元 的数据。 Institute of Microelectronics, Peking Copyright◎2011-2012 128* 8SRAM

Institute of Microelectronics, Peking University Copyright © 2011-2012 集成电路设计实习－综合实验 128*8SRAM 数据写入电路 数据写入电路2 就是在数据写 入电路1的基础 上多了一个反相 器, 与位线b相连 数据写入电路 尺寸选取，主要 是要驱动能力足 够改变存储单元 的数据。 Page 16

灵敏放大器 ●灵敏放大器结构如图 Se为低时,Dout和/Dout 预充到高。接地NMOS管 Dout Dout 断开。 当需要读出时,Se变高, DL 接地NMOs导通,这时会 根据两根位线DL和DL的 不同,产生不同的放电电 流,从而读出相应的信号。 ●尺寸参考下一页图 Institute of Microelectronics, Peking University 集成电路设计实习一综合实验 Page 17 Copyright◎2011-2012 128* 8SRAM

Institute of Microelectronics, Peking University Copyright © 2011-2012 集成电路设计实习－综合实验 128*8SRAM 灵敏放大器 灵敏放大器结构如图 Se为低时，Dout和/Dout 预充到高。接地NMOS管 断开。 当需要读出时，Se变高， 接地NMOS导通，这时会 根据两根位线DL和/DL的 不同，产生不同的放电电 流，从而读出相应的信号。 尺寸参考下一页图 Page 17

灵敏放大器 53" tingen(=75 r=75e-9 15e=6 Institute of Microelectronics, Peking University 集成电路设计实习一综合实验 Copyright◎2011-2012 128* 8SRAM Page 18

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